| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-16页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第10-16页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第16页 |
| 1.4 研究内容及技术难点 | 第16-17页 |
| 1.4.1 工作内容 | 第16-17页 |
| 1.4.2 技术难点 | 第17页 |
| 1.5 研究手段及方法 | 第17-18页 |
| 1.5.1 GaN基本性质的信息收集 | 第17页 |
| 1.5.2 聚四氟乙烯基本性质的信息收集 | 第17页 |
| 1.5.3 GaN探测器物理特性研究 | 第17页 |
| 1.5.4 GaN探测器接触电极研究及选择 | 第17-18页 |
| 1.6 课题创新点 | 第18-19页 |
| 第2章 半导体辐射探测的相关知识 | 第19-28页 |
| 2.1 半导体材料 | 第19-20页 |
| 2.2 半导体材料的表征 | 第20-21页 |
| 2.2.1 电阻率 | 第20页 |
| 2.2.2 载流子以及掺杂浓度 | 第20页 |
| 2.2.3 缺陷 | 第20页 |
| 2.2.4 载流子的寿命 | 第20-21页 |
| 2.2.5 迁移率 | 第21页 |
| 2.3 半导体辐射探测器 | 第21-24页 |
| 2.3.1 半导体探测器简介 | 第21-22页 |
| 2.3.2 半导体辐射探测器的基本原理 | 第22-23页 |
| 2.3.3 半导体辐射探测器的发展历程 | 第23-24页 |
| 2.4 GaN宽禁带半导体材料 | 第24-26页 |
| 2.4.1 GaN的基本性质 | 第24-25页 |
| 2.4.2 GaN单晶生长技术 | 第25-26页 |
| 2.5 聚四氟乙烯材料 | 第26-27页 |
| 2.5.1 聚四氟乙烯的化学性质 | 第26页 |
| 2.5.2 聚四氟乙烯的缺点 | 第26页 |
| 2.5.3 聚四氟乙烯在探测器中的应用 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 GaN探测器电极接触结构 | 第28-32页 |
| 3.1 电极接触理论 | 第28-30页 |
| 3.2 电极材料的选取 | 第30-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 基于蒙特卡罗方法的氮化镓辐射探测器能量沉积特性研究 | 第32-38页 |
| 4.1 用蒙特卡罗方法模拟氮化镓探测器模型 | 第32-33页 |
| 4.2 GaN探测器同一位置处能量沉积随入射射线能量的变化 | 第33-34页 |
| 4.3 GaN探测器中能量沉积受材料结构改变的影响 | 第34-35页 |
| 4.4 GaN探测器在同一能量射线照射下不同位置处能量沉积特性 | 第35-37页 |
| 4.5 模拟结果以及讨论 | 第37-38页 |
| 第5章 探测器研制及性能测试 | 第38-43页 |
| 5.0 探测器制备 | 第38-39页 |
| 5.1 不同偏压下探测器暗电流响应 | 第39-40页 |
| 5.2 ~(60)Co γ射线响应特性 | 第40页 |
| 5.3 探测器灵敏度 | 第40-41页 |
| 5.4 电荷收集效率 | 第41-42页 |
| 5.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第6章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 6.1 论文总结 | 第43页 |
| 6.2 展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
