| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 三维GaAs的结构模型 | 第9-10页 |
| 1.3 GaAs材料的基本性质及应用 | 第10-11页 |
| 1.4 GaAs的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.4.1 GaAs的应用研究 | 第11-13页 |
| 1.4.2 GaAs的理论研究 | 第13-14页 |
| 1.5 本论文的研究目的和主要内容 | 第14-16页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第14-15页 |
| 1.5.2 研究方法和内容 | 第15-16页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第16-26页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第16-17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-20页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| 2.2.3 局域密度近似 | 第20页 |
| 2.2.4 广义梯度近似 | 第20页 |
| 2.3 分子动力学理论 | 第20-22页 |
| 2.3.1 分子动力学模拟的基本理论 | 第21页 |
| 2.3.2 势函数 | 第21-22页 |
| 2.4 软件介绍 | 第22-23页 |
| 2.5 物理性质描述 | 第23-25页 |
| 2.5.1 电学性质 | 第23-24页 |
| 2.5.2 光学性质 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 二维GaAs的结构模型 | 第26-30页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 理想二维GaAs的结构模型 | 第26-28页 |
| 3.2.1 模型的构建 | 第26-27页 |
| 3.2.2 模型稳定性的验证 | 第27-28页 |
| 3.3 点缺陷二维GaAs的结构模型 | 第28-29页 |
| 3.3.1 模型的构建 | 第28-29页 |
| 3.3.2 模型稳定性的验证 | 第29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 理想二维GaAs的电子结构和光学性质 | 第30-35页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 理想二维GaAs的电子结构 | 第30-32页 |
| 4.3 理想二维GaAs的光学性质 | 第32-34页 |
| 4.3.2 二维GaAs吸收率和反射率 | 第32-33页 |
| 4.3.3 二维GaAs能量损失函数 | 第33-34页 |
| 4.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第五章 点缺陷二维GaAs的电子结构和光学性质 | 第35-41页 |
| 5.1 引言 | 第35页 |
| 5.2 点缺陷二维GaAs的电子结构 | 第35-37页 |
| 5.2.1 空位缺陷 | 第35-36页 |
| 5.2.2 杂质缺陷 | 第36-37页 |
| 5.3 点缺陷二维GaAs的光学性质 | 第37-40页 |
| 5.3.1 复介电函数 | 第37-38页 |
| 5.3.2 吸收率和反射率 | 第38-39页 |
| 5.3.3 能量损失函数 | 第39-40页 |
| 5.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第六章 压强对二维GaAs电子结构和光学性质的影响 | 第41-52页 |
| 6.1 引言 | 第41页 |
| 6.2 压强对二维GaAs电子结构的影响 | 第41-46页 |
| 6.2.1 理想情况 | 第41-45页 |
| 6.2.2 点缺陷情况 | 第45-46页 |
| 6.3 压强对二维GaAs光学性质的影响 | 第46-51页 |
| 6.3.1 理想情况 | 第46-48页 |
| 6.3.2 点缺陷情况 | 第48-51页 |
| 6.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第七章 总结 | 第52-54页 |
| 7.1 总结 | 第52-53页 |
| 7.2 有待进一步解决的问题 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60-61页 |