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碳化硅纳米线表面缺陷及表面改性研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 课题的研究意义第9-11页
    1.2 碳化硅纳米线的研究背景第11-12页
    1.3 碳化硅纳米线的结构和基本性质第12-13页
    1.4 碳化硅的晶格结构和能带第13-15页
    1.5 研究的主要内容第15-16页
第2章 理论方法第16-31页
    2.1 引言第16-17页
    2.2 第一性原理的计算方法第17-19页
        2.2.1 Born-Oppenheimer近似第17页
        2.2.2 Hartree-Fock近似第17-19页
    2.3 密度泛函理论第19-24页
        2.3.1 Hohenberg-Kohn定理第19-20页
        2.3.2 Kohn-Sham定理第20-22页
        2.3.3 交换关联势泛函第22-23页
        2.3.4 布洛赫定理第23-24页
    2.4 赝势方法第24-25页
    2.5 固体的光学性质第25-29页
        2.5.1 光学系数第25-27页
        2.5.2 复折射率和介电常数第27-29页
    2.6 软件介绍第29-30页
    2.7 本章小结第30-31页
第3章 表面缺陷对碳化硅的光电性能影响的研究第31-40页
    3.1 引言第31页
    3.2 计算方法第31-32页
    3.3 结果和讨论第32-38页
        3.3.1 碳和硅原子空位对结构和稳定性的影响第32-34页
        3.3.2 碳和硅原子空位对电子性能的影响第34-36页
        3.3.3 碳和硅原子空位对光学性能的影响第36-38页
    3.4 本章小结第38-40页
第4章 碳化硅表面改性基于第一性原理的研究第40-48页
    4.1 引言第40-41页
    4.2 计算方法与模型结构第41-42页
        4.2.1 计算方法第41页
        4.2.2 模型结构第41-42页
    4.3 结果和讨论第42-47页
        4.3.1 钝化对结构和稳定性的影响第42-43页
        4.3.2 钝化对电子性能的影响第43-44页
        4.3.3 钝化对光学性能的影响第44-47页
    4.4 本章小结第47-48页
结论第48-50页
参考文献第50-54页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第54-55页
致谢第55页

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