碳化硅纳米线表面缺陷及表面改性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题的研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 碳化硅纳米线的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.3 碳化硅纳米线的结构和基本性质 | 第12-13页 |
| 1.4 碳化硅的晶格结构和能带 | 第13-15页 |
| 1.5 研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 理论方法 | 第16-31页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 第一性原理的计算方法 | 第17-19页 |
| 2.2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第17页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第17-19页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第19-24页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham定理 | 第20-22页 |
| 2.3.3 交换关联势泛函 | 第22-23页 |
| 2.3.4 布洛赫定理 | 第23-24页 |
| 2.4 赝势方法 | 第24-25页 |
| 2.5 固体的光学性质 | 第25-29页 |
| 2.5.1 光学系数 | 第25-27页 |
| 2.5.2 复折射率和介电常数 | 第27-29页 |
| 2.6 软件介绍 | 第29-30页 |
| 2.7 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 表面缺陷对碳化硅的光电性能影响的研究 | 第31-40页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 计算方法 | 第31-32页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第32-38页 |
| 3.3.1 碳和硅原子空位对结构和稳定性的影响 | 第32-34页 |
| 3.3.2 碳和硅原子空位对电子性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.3 碳和硅原子空位对光学性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 碳化硅表面改性基于第一性原理的研究 | 第40-48页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 计算方法与模型结构 | 第41-42页 |
| 4.2.1 计算方法 | 第41页 |
| 4.2.2 模型结构 | 第41-42页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第42-47页 |
| 4.3.1 钝化对结构和稳定性的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.2 钝化对电子性能的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.3 钝化对光学性能的影响 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
