| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 半导体的概念 | 第11-14页 |
| 1.2.1 半导体的发展 | 第12-14页 |
| 1.3 III-V族半导体概括 | 第14-20页 |
| 1.3.1 III-V族半导体的特性 | 第14-17页 |
| 1.3.1.1 氮化镓(GaN)的性质 | 第16页 |
| 1.3.1.2 磷化镓(GaP)的性质 | 第16-17页 |
| 1.3.2 GaN与GaP半导材料的应用 | 第17-18页 |
| 1.3.3 GaN与GaP材料研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文的选题思路及内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 实验内容 | 第23-31页 |
| 2.1 材料的制备 | 第23页 |
| 2.2 离子辐照实验 | 第23-26页 |
| 2.2.1 离子束辐照技术简介 | 第23-25页 |
| 2.2.2 入射离子与靶物质之间的作用 | 第25-26页 |
| 2.3 重离子辐照实验 | 第26-28页 |
| 2.3.1 HIRFL-SFC | 第27-28页 |
| 2.4 样品表征方法 | 第28-31页 |
| 2.4.1 X射线衍射谱(XRD) | 第28页 |
| 2.4.2 拉曼光谱(Raman) | 第28-29页 |
| 2.4.3 傅里叶红外光谱(Fourier Transform infrared spectroscopy) | 第29-30页 |
| 2.4.4 光致发光谱 | 第30-31页 |
| 第三章 ~(56)Fe~(13+)离子辐照GaP晶体的数据分析 | 第31-35页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验 | 第31页 |
| 3.3 结果分析 | 第31-34页 |
| 3.3.1 XRD分析 | 第31-32页 |
| 3.3.2 拉曼分析 | 第32-33页 |
| 3.3.3 红外光谱分析 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 ~(56)Fe~(21+)离子辐照GaN晶体的数据分析 | 第35-40页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 实验 | 第35页 |
| 4.3 结果分析 | 第35-39页 |
| 4.3.1 XRD分析 | 第35-36页 |
| 4.3.2 拉曼光谱分析 | 第36-37页 |
| 4.3.3 光致发光谱分析 | 第37-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 总结与展望 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 附录：本人攻读硕士学位期间发表的论文 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
