首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

掺杂型MgAl2O4电子性能的第一性原理研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 TCO材料概述第10-16页
        1.2.1 n型TCO材料第10-13页
        1.2.2 p型TCO材料第13-14页
        1.2.3 尖晶石型氧化物第14-16页
    1.3 本文研究的目的和内容第16-17页
    1.4 本章小结第17-18页
第2章 第一性原理计算基本理论及相关物理量第18-31页
    2.1 多粒子体系的薛定谔方程第18-20页
        2.1.1 绝热近似第18-19页
        2.1.2 Hartree近似第19-20页
        2.1.3 Hartree-Fork近似第20页
    2.2 密度泛函理论第20-24页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第21-22页
        2.2.2 Kohn-Sham方程第22页
        2.2.3 交换关联泛函第22-24页
    2.3 计算方法与参数第24-30页
        2.3.1 超晶胞与Bloch定理第24页
        2.3.2 k空间选样第24-25页
        2.3.3 平面波截断能第25-26页
        2.3.4 赝势第26页
        2.3.5 缺陷形成能第26-29页
        2.3.6 能带结构与态密度第29-30页
        2.3.7 Mulliken布居分析第30页
    2.4 本章小结第30-31页
第3章 MgAl_2O_4中本征缺陷的第一性原理研究第31-46页
    3.1 晶体模型及计算方法第31-33页
    3.2 本征态MgAl_2O_4的电子结构第33-35页
    3.3 MgAl_2O_4本征缺陷的研究第35-44页
        3.3.1 形成能第35-40页
        3.3.2 几何结构和电子结构第40-44页
    3.4 本章小结第44-46页
第4章 s区元素填隙式掺杂MgAl_2O_4的第一性原理研究第46-54页
    4.1 形成能第46-51页
        4.1.1 四面体填隙第47-49页
        4.1.2 八面体填隙第49-51页
    4.2 几何结构和电子结构第51-53页
    4.3 本章小结第53-54页
第5章 非金属元素填隙式掺杂MgAl_2O_4的第一性原理研究第54-66页
    5.1 形成能第54-58页
        5.1.1 四面体填隙第55-57页
        5.1.2 八面体填隙第57-58页
    5.2 几何结构和电子结构第58-61页
    5.3 F掺杂MgAl2O第61-65页
        5.3.1 形成能第62-64页
        5.3.2 电子结构第64-65页
    5.4 本章小结第65-66页
第6章 总结与展望第66-69页
    6.1 研究总结第66-67页
    6.2 研究展望第67-69页
参考文献第69-77页
致谢第77-78页
攻读硕士学位期间的研究成果第78页

论文共78页,点击 下载论文
上一篇:用于纸基微流控芯片制造的石蜡电喷规律实验研究
下一篇:应用于BMS系统的16通道锂离子电池管理芯片的设计与测试