| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第16-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第23-28页 |
| 1.1.2 SiC材料和器件的优势 | 第24-26页 |
| 1.1.3 SiC SBD/JBS二极管的发展现状 | 第26-28页 |
| 1.2 SiC功率SBD/JBS二极管可靠性物理的研究意义 | 第28-33页 |
| 1.2.1 研究意义 | 第28-29页 |
| 1.2.2 可靠性研究现状 | 第29-32页 |
| 1.2.3 存在的主要问题 | 第32-33页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第33-35页 |
| 第二章 SiC JBS/SBD的器件物理及样品制备 | 第35-47页 |
| 2.1 器件物理 | 第35-42页 |
| 2.1.1 基本结构 | 第35-37页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第37-40页 |
| 2.1.3 电学参数 | 第40-41页 |
| 2.1.4 热学参数 | 第41-42页 |
| 2.2 物理模型 | 第42-44页 |
| 2.2.1 基本方程 | 第42页 |
| 2.2.2 物理模型 | 第42-44页 |
| 2.3 器件工艺设计及制备 | 第44-45页 |
| 2.3.1 工艺设计 | 第44-45页 |
| 2.3.2 器件的特性测试与分析 | 第45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 高温存储应力下4H-SiC JBS二极管退化机理研究 | 第47-67页 |
| 3.1 实验准备 | 第48-51页 |
| 3.1.1 实验简介 | 第48-49页 |
| 3.1.2 实验样品 | 第49-50页 |
| 3.1.3 高温I-V测试系统高温测试系统 | 第50-51页 |
| 3.2 器件电学特性 | 第51-54页 |
| 3.2.1 正向I-V特性 | 第51-53页 |
| 3.2.2 反向阻断I-V特性 | 第53-54页 |
| 3.3 高温存储退化机制分析 | 第54-66页 |
| 3.3.1 4H-SiC MOS电容高温存储实验 | 第54-56页 |
| 3.3.2 器件数值模拟仿真 | 第56-58页 |
| 3.3.3 雪崩击穿发光实验 | 第58-61页 |
| 3.3.4 具有场板结构的4H-SiC SBD测试分析 | 第61-63页 |
| 3.3.5 高温存储过程中载流子输运机制 | 第63-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 重复动态雪崩应力下4H-SiC JBS二极管退化机理研究 | 第67-87页 |
| 4.1 功率二极管重复动态雪崩实验简介 | 第68-69页 |
| 4.2 重复动态雪崩实验 | 第69-81页 |
| 4.2.1 实验准备 | 第69-72页 |
| 4.2.2 器件电学特性 | 第72-76页 |
| 4.2.3 电学参数漂移机制 | 第76-81页 |
| 4.3 器件失效分析 | 第81-84页 |
| 4.3.1 实验准备 | 第81-82页 |
| 4.3.2 器件电学特性 | 第82-84页 |
| 4.4 4H-SiC JBS二极管终端结构的改进与验证 | 第84-86页 |
| 4.4.1 器件结构的设计理论 | 第84-85页 |
| 4.4.2 实验验证 | 第85-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 浪涌应力下4H-SiC JBS二极管失效机理研究 | 第87-107页 |
| 5.1 浪涌实验简介 | 第87-88页 |
| 5.2 实验准备 | 第88-90页 |
| 5.2.1 实验样品 | 第88-89页 |
| 5.2.2 实验设备 | 第89页 |
| 5.2.3 实验方案 | 第89-90页 |
| 5.3 器件测试结果 | 第90-94页 |
| 5.3.1 瞬态I-V特性 | 第90-93页 |
| 5.3.2 正向导通特性 | 第93-94页 |
| 5.3.3 反向阻断特性 | 第94页 |
| 5.4 浪涌机制分析 | 第94-105页 |
| 5.4.1 瞬态I-V机制 | 第94-100页 |
| 5.4.2 正向导通和反向阻断特性机制 | 第100-105页 |
| 5.5 浪涌能力的改进及验证 | 第105-106页 |
| 5.5.1 器件结构的设计理论 | 第105-106页 |
| 5.5.2 实验验证 | 第106页 |
| 5.6 本章小结 | 第106-107页 |
| 第六章 高dv/dt应力下4H-SiC JBS二极管失效机理研究 | 第107-121页 |
| 6.1 dv/dt实验简介 | 第107-108页 |
| 6.2 实验准备 | 第108-110页 |
| 6.2.1 实验样品 | 第108-109页 |
| 6.2.2 实验设备 | 第109页 |
| 6.2.3 实验方案 | 第109-110页 |
| 6.3 器件电学特性 | 第110-114页 |
| 6.3.1 瞬态电压特性 | 第110-111页 |
| 6.3.2 正向导通特性 | 第111-113页 |
| 6.3.3 反向击穿特性 | 第113-114页 |
| 6.4 器件退化机制 | 第114-119页 |
| 6.5 本章小结 | 第119-121页 |
| 第七章 结束语 | 第121-125页 |
| 参考文献 | 第125-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 作者简介 | 第139-141页 |
