当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的制备与性能研究
InAs纳米线阵列制备及其光敏特性研究
SiC氧化层中可动电荷的TVS法测量及优化
宽光谱响应小分子体异质结光敏有机场效应管
3C-SiC掺杂体系第一性原理研究
矩形FET中太赫兹波的传播
采用热压法处理银纳米线电极及其在OLED中的应用研究
P掺杂GaN纳米线制备及第一性原理研究
原位热处理对OLED器件效率的提升及TADF效应对蓝光器件的影响
铁电器件非线性滞回特性及电畴变动力学研究
场效应晶体管太赫兹混频探测器的场耦合机制和结构研究
新型硅基光子器件的研究
基于mCP与PO-T2T蓝光激基复合物能量传递实现高效率橙光和白光OLED的研究
面向生物/化学传感应用的有机薄膜晶体管关键技术研究
4H-SiC光触发晶闸管新结构研究
去除电火花切割工件表面凹坑和再凝固物质方法研究
SiC MOSFET功率模块中压测试平台研制及其应用
IGCT电路模型与驱动电路关键技术的研究
高压FSRD关键技术的研究
智能化LED高品质健康照明研究
硅基中红外亚波长平面光学透镜研究
AlGaN/GaN MOS(MIS)HEMT中电子迁移率及Ⅰ-Ⅴ输出特性
基于激基复合物体系的有机电致发光器件研究
基于银纳米立方等离子体共振增强的蓝光有机电致发光器件
石墨烯/钙钛矿量子点光电探测器的制备及性能研究
MOCVD反应室多场耦合分析与参数优化
高k/InGaAs MOS电容界面特性研究
石墨烯-SiC材料制备及其光电特性
氮化镓HEMT器件温度特性研究
65nm NMOS器件的HCI效应仿真与测试
CMOS与非门的HPM效应研究
氧化镓基肖特基势垒二极管的研制
生物电信号CMOS模拟前端电路与系统研究
槽栅与氧等离子体处理的AlGaN/GaN HEMT特性及温度稳定性研究
Si基改性Ge薄膜RPCVD外延生长研究
2.5Mbps全双工线路收发器的设计研究
直接带隙Ge1-xSnx能带结构研究
硅基PNP型达林顿管微波损伤机理研究
溶液加工型白光有机电致发光器件及其性能优化研究
新型碳基场效应管及其应用电路的研究与设计
电极修饰对有机电致发光器件性能影响的研究
VDMOS的JFET效应研究
磷光铱配合物的设计、制备及其在发光器件和光动力治疗中的应用
碳化硅基石墨烯/锗异质结制备与特性研究
Ge/SiC界面态分析
基于1,3,5-三嗪和芴单元的可溶液加工热活化延迟荧光蓝色发光体的合成与表征
酞菁铜薄膜二极管的封装模式研究
钙钛矿半导体的结构和电学性质研究
基于多层结构透明电极的钙钛矿光电器件的研究
全无机钙钛矿CVD制备方法及光电器件的研制
上一页
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
下一页