| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 有机电致发光器件的发展应用以及与产业现状 | 第9-12页 |
| 1.3 有机电致发光器件的基础知识 | 第12-16页 |
| 1.3.1 有机电致发光器件基本结构 | 第12-14页 |
| 1.3.2 有机电致发光器件的发光原理 | 第14-15页 |
| 1.3.3 有机电致发光器件的重要参数 | 第15-16页 |
| 1.4 有机电致发光器件界面修饰 | 第16-18页 |
| 1.4.1 有机电致发光器件阳极界面修饰 | 第17页 |
| 1.4.2 有机电致发光器件阴极界面修饰 | 第17-18页 |
| 1.5 本文的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 有机p-n结作为电子注入层对倒置OLED器件性能的影响 | 第20-32页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 实验 | 第21-23页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验设备及测试仪器 | 第22页 |
| 2.2.3 OLED器件的制备 | 第22-23页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第23-31页 |
| 2.3.1 有机p-n结中p型材料PEDOT:PSS和MoO_3厚度的优化 | 第23-25页 |
| 2.3.2 有机p-n结的电子注入机理证明 | 第25-26页 |
| 2.3.3 不同电子注入层对器件性能的影响 | 第26-29页 |
| 2.3.4 OLED器件寿命的测试 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 薄层金属对有机p-n结电子注入能力的影响 | 第32-49页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 实验材料 | 第32-33页 |
| 3.3 薄层金属作为电子注入层对器件性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 ITO/Bphen之间插入薄层金属对器件性能的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2 ITO/Bphen:Cs_2CO_3之间插入薄层金属对器件性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 有机p-n结中插入薄层金属对器件性能的影响 | 第37-48页 |
| 3.4.1 有机p-n结HAT-CN/Bphen:Cs_2CO_3中插入不同薄层金属对器件性能的影响 | 第37-41页 |
| 3.4.2 有机p-n结MoO_3(MoO_3:NPB)/Bphen:Cs_2CO_3中插入薄铝对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| 3.4.3 有机p-n结MoO_3:NPB/Bphen:Cs_2CO_3中插入不同薄层金属对器件性能的影响 | 第43-46页 |
| 3.4.4 不同n型材料对p-n结的电子注入能力及器件性能的影响 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 n-p结中插入薄层金属对OLED器件性能的影响 | 第49-58页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 实验材料 | 第49-50页 |
| 4.3 不同功函数的薄层金属对器件空穴注入能力的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 n-p结中插入不同的薄层金属对器件空穴注入能力的影响 | 第52-56页 |
| 4.4.1 n-p结LiF/metal/MoO_3对器件性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.4.2 n-p结Bphen:Cs_2CO_3/metal/MoO_3对器件性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第65-66页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第66-67页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
