| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 改性Ge应用背景 | 第16-23页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第23-28页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第28-30页 |
| 第二章 DR-Ge_(1-x)Sn_x能带结构 | 第30-50页 |
| 2.1 Ge&Sn晶格结构基本特性 | 第30-32页 |
| 2.2 DR-Ge_(1-x)Sn_x能带E-k模型 | 第32-41页 |
| 2.2.1 kp哈密顿模型 | 第33-35页 |
| 2.2.2 DR-Ge_(1-x)Sn_x8带kp模型 | 第35-41页 |
| 2.3 DR-Ge_(1-x)Sn_x能带结构 | 第41-44页 |
| 2.4 DR-Ge_(1-x)Sn_x载流子有效质量 | 第44-49页 |
| 2.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 DBTS-Ge_(1-x)Sn_x能带结构 | 第50-70页 |
| 3.1 DBTS-Ge_(1-x)Sn_x能带E-k模型 | 第50-58页 |
| 3.1.1 应变张量模型 | 第50-56页 |
| 3.1.2 形变势模型 | 第56-57页 |
| 3.1.3 DBTS-Ge_(1-x)Sn_x8带kp模型 | 第57-58页 |
| 3.2 DBTS-Ge_(1-x)Sn_x能带结构 | 第58-68页 |
| 3.2.1 DBTS-Ge_(1-x)Sn_xΓ点处能级 | 第59-60页 |
| 3.2.2 DBTS-Ge_(1-x)Sn_x能带结构 | 第60-64页 |
| 3.2.3 DBTS-Ge_(1-x)Sn_x载流子有效质量 | 第64-68页 |
| 3.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 DR-Ge_(1-x)Sn_x&PD-Ge能带调制研究 | 第70-86页 |
| 4.1 DR-Ge_(1-x)Sn_x合金禁带宽度调制 | 第70-75页 |
| 4.1.1 DR-Ge_(1-x)Sn_x合金0°单轴应力带隙调制 | 第71-73页 |
| 4.1.2 DR-Ge_(1-x)Sn_x合金45°单轴应力带隙调制 | 第73-75页 |
| 4.2 PD-Ge禁带宽度调制 | 第75-80页 |
| 4.2.1 改性Ge0°单轴应力带隙调制 | 第75-78页 |
| 4.2.2 改性Ge45°单轴应力带隙调制 | 第78-80页 |
| 4.3 DR-Ge_(1-x)Sn_x&PD-GePL谱 | 第80-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 作者简介 | 第96-98页 |
