| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 论文的研究思想与研究内容 | 第15-17页 |
| 2 SiCMOS电容的制备工艺和可动电荷表征 | 第17-29页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 SiCMOS电容的制备工艺 | 第17-21页 |
| 2.2.1 改进RCA清洗工艺 | 第18-19页 |
| 2.2.2 热氧化工艺 | 第19页 |
| 2.2.3 氮等离子体退火工艺 | 第19-21页 |
| 2.2.4 电极制作工艺 | 第21页 |
| 2.3 SiCMOS电容氧化层中可动电荷表征方法 | 第21-27页 |
| 2.3.1 SiCMOS氧化层中可动电荷的C-V测试方法 | 第22-25页 |
| 2.3.2 SiCMOS氧化层中可动电荷的TVS测试方法 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 3 SiCMOS电容氧化层中可动电荷的C-V测试方法研究 | 第29-39页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 BTC-V法 | 第29-33页 |
| 3.2.1 BTC-V法的实验测试 | 第29-31页 |
| 3.2.2 BTC-V法的测试结果与分析 | 第31-33页 |
| 3.3 快速C-V法 | 第33-37页 |
| 3.3.1 快速C-V法的实验测试 | 第33-35页 |
| 3.3.2 快速C-V法的测试结果与分析 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 4 SiCMOS氧化层中可动电荷的TVS法的测试与分析 | 第39-52页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 TVS的实验平台及测试 | 第40-42页 |
| 4.3 TVS法测量可动电荷的影响因素研究 | 第42-47页 |
| 4.3.1 扫描范围对可动电荷测量的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.2 温度对准静态平衡条件的影响 | 第44-46页 |
| 4.3.3 扫描速率对准静态平衡的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 TVS方法的优化及实验论证 | 第47-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 SiC体系氧化层中可动电荷的TVS法与C-V测试方法的对比分析 | 第52-56页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 TVS法与C-V法的误差分析 | 第52-53页 |
| 5.3 TVS方法与C-V法的优缺点分析 | 第53-55页 |
| 5.4 TVS法和C-V法的适用性分析 | 第55页 |
| 5.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
