| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 Ge/SiC异质结界面研究现状 | 第9-14页 |
| 1.1.1 实验研究现状 | 第9-13页 |
| 1.1.2 理论模拟研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2 本课题的研究目的、内容及创新点 | 第14-17页 |
| 2 研究与计算方法 | 第17-25页 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT) | 第17-20页 |
| 2.1.1 多粒子体系的薛定谔方程 | 第17-18页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn理论 | 第18页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| 2.2 交换关联泛函 | 第20-23页 |
| 2.2.1 局域密度近似(LDA) | 第21-22页 |
| 2.2.2 广义梯度近似(GGA) | 第22-23页 |
| 2.3 收敛性测试 | 第23页 |
| 2.4 第一性原理计算常用软件 | 第23-25页 |
| 3 4H-SiC特性分析 | 第25-35页 |
| 3.1 4H-SiC物理模型 | 第25页 |
| 3.2 参数调试 | 第25-27页 |
| 3.3 4H-SiC体特性分析 | 第27-29页 |
| 3.4 4H-SiC理想表面模型的建立 | 第29-32页 |
| 3.4.1 真空层厚度测试 | 第29页 |
| 3.4.2 平板厚度测试 | 第29-30页 |
| 3.4.3 释放原子层数 | 第30-32页 |
| 3.5 表面态密度分析 | 第32-33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-35页 |
| 4 Ge在4H-SiC(0001)表面的吸附特性 | 第35-41页 |
| 4.1 Ge在4H-SiC(0001)表面的吸附模型 | 第35-36页 |
| 4.2 结果和分析 | 第36-40页 |
| 4.2.1 吸附能 | 第36-37页 |
| 4.2.2 几何优化 | 第37-38页 |
| 4.2.3 原子布居 | 第38页 |
| 4.2.4 态密度 | 第38-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 5 Ge(111)/4H-SiC(0001)和Ge(110)/4H-SiC(0001)界面分析 | 第41-51页 |
| 5.1 Ge(111)/4H-SiC(0001)和Ge(110)/4H-SiC(0001)异质结界面模型 | 第41-42页 |
| 5.2 界面特性分析 | 第42-49页 |
| 5.2.1 Ge(110)/4H-SiC(0001)和Ge(111)/4H-SiC(0001)异质结界面的弛豫分析 | 第43-45页 |
| 5.2.2 粘合能和弛豫能 | 第45-47页 |
| 5.2.3 电子特性 | 第47页 |
| 5.2.4 态密度 | 第47-49页 |
| 5.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 6 结论 | 第51-53页 |
| 6.1 工作总结 | 第51-52页 |
| 6.2 未来展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 作者攻读学位期间发表学术论文清单 | 第59页 |
| 基金项目 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
