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Ge/SiC界面态分析

摘要第4-5页
abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 Ge/SiC异质结界面研究现状第9-14页
        1.1.1 实验研究现状第9-13页
        1.1.2 理论模拟研究现状第13-14页
    1.2 本课题的研究目的、内容及创新点第14-17页
2 研究与计算方法第17-25页
    2.1 密度泛函理论(DFT)第17-20页
        2.1.1 多粒子体系的薛定谔方程第17-18页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn理论第18页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第18-20页
    2.2 交换关联泛函第20-23页
        2.2.1 局域密度近似(LDA)第21-22页
        2.2.2 广义梯度近似(GGA)第22-23页
    2.3 收敛性测试第23页
    2.4 第一性原理计算常用软件第23-25页
3 4H-SiC特性分析第25-35页
    3.1 4H-SiC物理模型第25页
    3.2 参数调试第25-27页
    3.3 4H-SiC体特性分析第27-29页
    3.4 4H-SiC理想表面模型的建立第29-32页
        3.4.1 真空层厚度测试第29页
        3.4.2 平板厚度测试第29-30页
        3.4.3 释放原子层数第30-32页
    3.5 表面态密度分析第32-33页
    3.6 本章小结第33-35页
4 Ge在4H-SiC(0001)表面的吸附特性第35-41页
    4.1 Ge在4H-SiC(0001)表面的吸附模型第35-36页
    4.2 结果和分析第36-40页
        4.2.1 吸附能第36-37页
        4.2.2 几何优化第37-38页
        4.2.3 原子布居第38页
        4.2.4 态密度第38-40页
    4.3 本章小结第40-41页
5 Ge(111)/4H-SiC(0001)和Ge(110)/4H-SiC(0001)界面分析第41-51页
    5.1 Ge(111)/4H-SiC(0001)和Ge(110)/4H-SiC(0001)异质结界面模型第41-42页
    5.2 界面特性分析第42-49页
        5.2.1 Ge(110)/4H-SiC(0001)和Ge(111)/4H-SiC(0001)异质结界面的弛豫分析第43-45页
        5.2.2 粘合能和弛豫能第45-47页
        5.2.3 电子特性第47页
        5.2.4 态密度第47-49页
    5.3 本章小结第49-51页
6 结论第51-53页
    6.1 工作总结第51-52页
    6.2 未来展望第52-53页
参考文献第53-59页
作者攻读学位期间发表学术论文清单第59页
基金项目第59-61页
致谢第61页

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