| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1.绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 纳米材料研究概述 | 第8-9页 |
| 1.1.1 纳米材料分类 | 第8页 |
| 1.1.2 纳米材料性质 | 第8-9页 |
| 1.2 GaN纳米材料性质 | 第9-10页 |
| 1.2.1 物理性质 | 第9页 |
| 1.2.2 化学性质 | 第9页 |
| 1.2.3 光学性质 | 第9页 |
| 1.2.4 电学性质 | 第9-10页 |
| 1.3 研究一维GaN纳米材料的意义 | 第10页 |
| 1.4 一维GaN纳米材料实验制备进展 | 第10-11页 |
| 1.5 GaN纳米材料的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.5.1 化学气相沉积(CVD) | 第11页 |
| 1.5.2 金属有机物化学气相沉积法(MOCVD) | 第11-12页 |
| 1.5.3 分子束外延法(MBE) | 第12页 |
| 1.6 一维GaN纳米材料生长机制 | 第12-13页 |
| 1.7 本文选题依据及研究内容 | 第13-16页 |
| 1.7.1 本文选题依据 | 第13页 |
| 1.7.2 本文研究内容 | 第13-16页 |
| 2.P 掺杂GaN纳米线的制备及表征 | 第16-36页 |
| 2.1 实验原料、仪器和表征方法 | 第16-19页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第16页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第16-19页 |
| 2.2 衬底的处理 | 第19-20页 |
| 2.3 实验步骤及形貌分析 | 第20-27页 |
| 2.3.1 基本实验步骤 | 第20-21页 |
| 2.3.2 不同氨化温度对P掺杂GaN纳米线形貌的影响 | 第21-23页 |
| 2.3.3 不同氨化时间对P掺杂GaN纳米线形貌的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.4 不同氨气流量对P掺杂GaN纳米线形貌的影响 | 第24-26页 |
| 2.3.5 不同浓度P掺杂对GaN纳米线形貌的影响 | 第26-27页 |
| 2.4 P掺杂GaN纳米线的物相分析 | 第27-32页 |
| 2.4.1 纯净GaN纳米线的物相分析 | 第27-28页 |
| 2.4.2 掺杂源比例为1:30的P掺杂GaN纳米线的物相分析 | 第28-29页 |
| 2.4.3 掺杂质量比例为1:20的P掺杂GaN纳米线的物相分析 | 第29-31页 |
| 2.4.4 掺杂质量比例为1:10的P掺杂GaN纳米线的物相分析 | 第31-32页 |
| 2.5 P掺杂GaN纳米线场发射研究 | 第32-33页 |
| 2.6 P掺杂GaN纳米的生长机制分析 | 第33-34页 |
| 2.7 本章小结 | 第34-36页 |
| 3.P 掺杂GaN纳米线密度泛函理论研究 | 第36-50页 |
| 3.1 理论基础 | 第36-38页 |
| 3.1.1 第一性原理 | 第36页 |
| 3.1.2 密度泛函理论 | 第36-37页 |
| 3.1.3 交换相关势 | 第37-38页 |
| 3.1.4 Vasp简介 | 第38页 |
| 3.2 理论研究进展 | 第38-39页 |
| 3.3 建立结构模型 | 第39-40页 |
| 3.4 结构优化 | 第40-41页 |
| 3.5 计算结果及讨论 | 第41-49页 |
| 3.5.1 不同位置掺杂形成能计算 | 第41页 |
| 3.5.2 纳米线结构参数计算 | 第41-42页 |
| 3.5.3 能带结构分析 | 第42-44页 |
| 3.5.4 态密度分析 | 第44-47页 |
| 3.5.5 差分电荷密度分析 | 第47-48页 |
| 3.5.6 功函数计算 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 4.结论与展望 | 第50-52页 |
| 4.1 本文主要结论 | 第50页 |
| 4.2 展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 附录 | 第60页 |
