| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 氧化镓的晶体结构和电学性质 | 第17-19页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.2.2 电学性质 | 第18-19页 |
| 1.3 氧化镓的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.3.1 氧化镓材料方面的研究进展 | 第19页 |
| 1.3.2 氧化镓器件方面的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.4 氧化镓肖特基二极管研究意义 | 第21页 |
| 1.5 研究内容与结构安排 | 第21-23页 |
| 第二章 器件物理以及模型 | 第23-35页 |
| 2.1 肖特基二极管的器件物理 | 第23-29页 |
| 2.1.1 原理与性质 | 第23-25页 |
| 2.1.2 正向特性 | 第25-28页 |
| 2.1.3 反向特性 | 第28-29页 |
| 2.2 仿真工具介绍与氧化镓材料的物理模型 | 第29-33页 |
| 2.2.1 仿真工具介绍 | 第29-31页 |
| 2.2.2 氧化镓材料的物理模型 | 第31-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 氧化镓肖特基二极管的仿真研究 | 第35-49页 |
| 3.1 边缘终端技术 | 第35-37页 |
| 3.1.1 电场集中效应 | 第35-36页 |
| 3.1.2 各种边缘终端技术简介 | 第36-37页 |
| 3.2 基础结构的氧化镓肖特基二极管的设计与仿真 | 第37-41页 |
| 3.3 浮空金属环结构仿真与优化 | 第41-47页 |
| 3.3.1 浮空金属环与阳极间距对器件特性的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 浮空金属环宽度对器件特性的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.3 浮空金属环数量对器件特性的影响 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 氧化镓肖特基二极管的制备与测试 | 第49-71页 |
| 4.1 (AlGa)_2O_3肖特基二极管的研究 | 第49-62页 |
| 4.1.1 材料生长及其表征与器件制备 | 第49-52页 |
| 4.1.2 结果分析与参数提取 | 第52-59页 |
| 4.1.3 变温条件下肖特基二极管正向特性分析 | 第59-61页 |
| 4.1.4 材料生长温度的不同对器件反向特性的影响 | 第61-62页 |
| 4.2 浮空金属环结构氧化镓肖特基二极管的研究 | 第62-66页 |
| 4.2.1 器件版图设计与流片工艺流程 | 第63-64页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第64-66页 |
| 4.3 平面结构氧化镓肖特基二极管的研究 | 第66-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结和展望 | 第71-75页 |
| 5.1 全文总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |