| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-14页 |
| 1.1 光探测器件的基本特性 | 第6-9页 |
| 1.1.1 光探测器件的分类 | 第6-7页 |
| 1.1.2 光敏材料的特性 | 第7-8页 |
| 1.1.3 光电探测器的主要性能参数 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体发光材料 | 第9-12页 |
| 1.2.1 半导体发光材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2.2 典型半导体发光材料 | 第10-11页 |
| 1.2.3 砷化铟(InAs) | 第11-12页 |
| 1.3 InAs/InP径向异质结纳米线研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 2 InAs/InP芯包层径向异质结纳米线的生长 | 第14-28页 |
| 2.1 InAs/InP芯包层径向异质结纳米线生长方法简介 | 第14-20页 |
| 2.1.1 分子束外延 | 第15-17页 |
| 2.1.2 化学束外延 | 第17-18页 |
| 2.1.3 金属有机物化学气相沉积 | 第18-20页 |
| 2.2 InAs/InP芯包层径向异质结纳米线的生长及其表征 | 第20-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 单根纳米线的大规模排列 | 第28-35页 |
| 3.1 一维半导体排列方法介绍 | 第28-33页 |
| 3.1.1 朗谬尔-布洛杰特力法 | 第28-29页 |
| 3.1.2 水流法 | 第29-30页 |
| 3.1.3 接触印刷法 | 第30-31页 |
| 3.1.4 介电泳法 | 第31-33页 |
| 3.2 单根纳米线大规模排列的研究 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 大规模纳米线场效应晶体管制备 | 第35-45页 |
| 4.1 电极光刻掩膜版的设计 | 第35-36页 |
| 4.2 器件制作工艺流程 | 第36-44页 |
| 4.2.1 清洗硅片 | 第36页 |
| 4.2.2 制备栅极氧化层 | 第36-37页 |
| 4.2.3 制备插齿电极 | 第37-38页 |
| 4.2.4 电泳法排列纳米线 | 第38-40页 |
| 4.2.5 制作顶电极与切割成片 | 第40-41页 |
| 4.2.6 封装与连接 | 第41-42页 |
| 4.2.7 设计和制作测试电路 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 InAs/InP芯包层径向异质结纳米线器件光敏特性研究 | 第45-57页 |
| 5.1 搭建光电测试系统 | 第45-50页 |
| 5.1.1 栅极电压对纳米线光电性能的影响 | 第46-48页 |
| 5.1.2 周期性测试器件的稳定性 | 第48-50页 |
| 5.2 实验测试结果分析 | 第50-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
