| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC LTT国内外发展情况 | 第10-16页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第16-19页 |
| 2 4H-SiC LTT工作原理及仿真模型 | 第19-33页 |
| 2.1 4H-SiC LTT基本原理 | 第19-26页 |
| 2.1.1 基本结构 | 第19-20页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第20-22页 |
| 2.1.3 电学特性 | 第22-26页 |
| 2.2 4H-SiC LTT物理模型及材料参数 | 第26-31页 |
| 2.2.1 基本方程 | 第26-27页 |
| 2.2.2 能带模型 | 第27-28页 |
| 2.2.3 不完全离化模型 | 第28页 |
| 2.2.4 载流子迁移率模型 | 第28-29页 |
| 2.2.5 复合模型 | 第29-30页 |
| 2.2.6 碰撞电离模型 | 第30页 |
| 2.2.7 光产生模型 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 3 SiC LTT空穴低注入现象成因及影响 | 第33-51页 |
| 3.1 SiC LTT p~+n发射结空穴低注入现象成因 | 第33-34页 |
| 3.2 空穴低注入对p型长基区SiC LTT的影响 | 第34-42页 |
| 3.2.1 对p型长基区SiC LTT导通特性的影响 | 第35-38页 |
| 3.2.2 对p型长基区SiC LTT光触发特性的影响 | 第38-42页 |
| 3.3 空穴低注入对n型长基区SiC LTT的影响 | 第42-49页 |
| 3.3.1 对n型长基区SiC LTT导通特性的影响 | 第43-46页 |
| 3.3.2 对n型长基区SiC LTT光触发特性的影响 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 4 p~+n发射结空穴注入增强结构研究 | 第51-77页 |
| 4.1 p长基区LTT空穴注入增强结构研究 | 第51-62页 |
| 4.1.1 双层n短基区结构的提出 | 第51-53页 |
| 4.1.2 双层n短基区SiC LTT特性研究 | 第53-58页 |
| 4.1.3 与减薄的单层n短基区结构比较 | 第58-62页 |
| 4.2 n长基区LTT空穴注入增强结构研究 | 第62-69页 |
| 4.2.1 双层n缓冲层结构的提出 | 第62-63页 |
| 4.2.2 双层n缓冲层SiC LTT导通特性研究 | 第63-65页 |
| 4.2.3 双层n缓冲层SiC LTT光触发特性研究 | 第65-68页 |
| 4.2.4 双层n缓冲层SiC LTT正向阻断特性研究 | 第68-69页 |
| 4.3 p-NiO/n-SiC空穴注入增强结构研究 | 第69-76页 |
| 4.3.1 p-NiO/n-SiC异质发射结方案的提出 | 第69-72页 |
| 4.3.2 基于4H-SiC衬底的NiO薄膜实验研究 | 第72-74页 |
| 4.3.3 NiO/SiC异质结的制备与研究 | 第74-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 5 n基区空穴输运增强结构研究 | 第77-109页 |
| 5.1 梯度掺杂促进空穴输运机制分析 | 第77-79页 |
| 5.2 n短基区空穴输运增强结构研究 | 第79-92页 |
| 5.2.1 空穴输运增强n短基区结构的提出 | 第79-80页 |
| 5.2.2 空穴输运增强n短基区SiC LTT特性研究 | 第80-85页 |
| 5.2.3 具有“7”形掺杂剖面的n短基区结构研究 | 第85-92页 |
| 5.3 n长基区空穴输运增强结构研究 | 第92-107页 |
| 5.3.1 空穴输运增强n缓冲层结构的提出 | 第92-93页 |
| 5.3.2 空穴输运增强n缓冲层SiC LTT特性研究 | 第93-99页 |
| 5.3.3 具有“7”形掺杂剖面的n缓冲层结构研究 | 第99-107页 |
| 5.4 本章小结 | 第107-109页 |
| 6 改进放大门极结构研究及LTT流片实验 | 第109-127页 |
| 6.1 放大门极结构改进研究 | 第109-119页 |
| 6.1.1 沟槽结隔离型放大门极结构的提出 | 第109-111页 |
| 6.1.2 沟槽结隔离型放大门极结构研究 | 第111-115页 |
| 6.1.3 具有沟槽结隔离放大门极的“7”形掺杂剖面n短基区SiC LTT | 第115-119页 |
| 6.2 LTT实验研究 | 第119-126页 |
| 6.2.1 方案设计 | 第119-121页 |
| 6.2.2 工艺实验 | 第121-123页 |
| 6.2.3 测试与分析 | 第123-126页 |
| 6.3 本章小结 | 第126-127页 |
| 7 结论与展望 | 第127-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-145页 |
| 攻读学位期间主要研究成果 | 第145-147页 |
