| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第1章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 SiC研究历史介绍 | 第14-15页 |
| 1.3 SiC的结构和基本性质 | 第15-16页 |
| 1.4 SiC材料的用途 | 第16-18页 |
| 1.5 SiC材料的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.5.1 SiC材料实验研究现状 | 第18-19页 |
| 1.5.2 SiC材料理论模拟研究现状 | 第19-20页 |
| 1.6 本文研究目的和研究内容 | 第20-22页 |
| 1.6.1 本文研究目的 | 第20页 |
| 1.6.2 本文的研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 第一性原理基础理论计算方法 | 第22-28页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第22-23页 |
| 2.2 密度泛函理论(DFT) | 第23-24页 |
| 2.2.1 Hobenberg-Kohn定理 | 第23页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第23页 |
| 2.2.3 局域密度近似(Local Density Approximation,LDA) | 第23-24页 |
| 2.2.4 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA) | 第24页 |
| 2.3 物理量概述 | 第24-26页 |
| 2.3.1 能带结构 | 第24-25页 |
| 2.3.2 态密度 | 第25页 |
| 2.3.3 差分电荷密度 | 第25页 |
| 2.3.4 布居分析 | 第25-26页 |
| 2.3.5 光学性质 | 第26页 |
| 2.4 Materials Studio软件包 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 第IV主族元素掺杂3C-SiC体系的电子结构和光学性能的第一性原理研究 | 第28-44页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 物理模型 | 第28-29页 |
| 3.3 参数调试 | 第29-30页 |
| 3.3.1 交换关联泛函 | 第29页 |
| 3.3.2 平面波展开截断能 | 第29-30页 |
| 3.4 计算方法 | 第30-31页 |
| 3.5 计算结果分析与讨论 | 第31-36页 |
| 3.5.1 晶体结构 | 第31-32页 |
| 3.5.2 电子结构 | 第32-34页 |
| 3.5.3 电荷分布 | 第34-36页 |
| 3.6 光学性能 | 第36-43页 |
| 3.6.1 介电常数 | 第36-38页 |
| 3.6.2 吸收谱 | 第38-39页 |
| 3.6.3 反射谱 | 第39-41页 |
| 3.6.4 能量损失谱 | 第41-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 不同浓度的第V主族元素掺杂3C-SiC体系的第一性原理研究 | 第44-62页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第44-45页 |
| 4.2.1 计算模型 | 第44页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-54页 |
| 4.3.1 晶体结构 | 第45-46页 |
| 4.3.2 电子结构 | 第46-51页 |
| 4.3.3 电荷分布 | 第51-54页 |
| 4.4 光学性能 | 第54-60页 |
| 4.4.1 介电常数 | 第54-56页 |
| 4.4.2 吸收谱和反射谱 | 第56-59页 |
| 4.4.3 能量损失谱 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 TM单掺杂和TM-Al共掺杂3C-SiC体系磁学性能的第一性原理研究 | 第62-71页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 计算模型与方法 | 第62-63页 |
| 5.2.1 计算模型 | 第62页 |
| 5.2.2 计算方法 | 第62-63页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第63-69页 |
| 5.3.1 掺杂3C-SiC体系的形成能、结合能 | 第63-64页 |
| 5.3.2 电子结构 | 第64-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 结论与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附录A 攻读研究生期间发表的学术论文 | 第80页 |
