硅基PNP型达林顿管微波损伤机理研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 论文研究内容和结构安排 | 第19-20页 |
| 第二章 半导体器件的HPM损伤机制 | 第20-30页 |
| 2.1 常见电磁波 | 第20-21页 |
| 2.1.1 高功率微波 | 第20-21页 |
| 2.1.2 核电磁脉冲 | 第21页 |
| 2.2 双极型器件的HPM失效模式和失效机理 | 第21-24页 |
| 2.2.1 敷金属烧毁 | 第22-23页 |
| 2.2.2 雪崩击穿 | 第23页 |
| 2.2.3 二次击穿 | 第23-24页 |
| 2.3 双极型器件的损伤机理 | 第24-25页 |
| 2.3.1 基区展宽效应 | 第24-25页 |
| 2.3.2 发射极电流集边效应 | 第25页 |
| 2.4 达林顿晶体管的工作原理及微波防护 | 第25-28页 |
| 2.4.1 达林顿晶体管的工作原理 | 第25-27页 |
| 2.4.2 HPM损伤的防护技术 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 HPM作用下达林顿晶体管的瞬态响应 | 第30-52页 |
| 3.1 Sentaurus-TCAD简介 | 第30-31页 |
| 3.2 达林顿晶体管的仿真模型 | 第31-35页 |
| 3.2.1 结构模型 | 第31-33页 |
| 3.2.2 数值模型 | 第33-35页 |
| 3.3 仿真结果与分析 | 第35-49页 |
| 3.3.1 集电极注入HPM时的结果与分析 | 第36-40页 |
| 3.3.2 基极注入HPM时的结果与分析 | 第40-45页 |
| 3.3.3 发射极注入HPM时的结果与分析 | 第45-48页 |
| 3.3.4 三种不同注入方式的比较 | 第48-49页 |
| 3.4 烧毁区域对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 微波参数和结构参数对器件损伤的影响 | 第52-74页 |
| 4.1 正弦信号参数的影响 | 第52-58页 |
| 4.1.1 幅值的影响 | 第52-53页 |
| 4.1.2 频率的影响 | 第53-58页 |
| 4.2 重复频率对器件损伤的影响 | 第58-63页 |
| 4.3 占空比对器件损伤的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 信号样式对器件损伤的影响 | 第64-68页 |
| 4.5 器件的结构参数对损伤的影响 | 第68-72页 |
| 4.5.1 衬底浓度对损伤的影响 | 第68-69页 |
| 4.5.2 发射极电阻对损伤的影响 | 第69-70页 |
| 4.5.3 器件尺寸对损伤的影响 | 第70-72页 |
| 4.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 达林顿晶体管的微波脉宽效应 | 第74-84页 |
| 5.1 脉宽效应的模型 | 第74-76页 |
| 5.2 EMP损伤效应与机理 | 第76-78页 |
| 5.3 集电极注入下的脉宽效应 | 第78-80页 |
| 5.3.1 集电极注入HPM时的脉宽效应 | 第78-79页 |
| 5.3.2 集电极注入EMP时的脉宽效应 | 第79-80页 |
| 5.4 发射极和基极注入下的脉宽效应 | 第80-83页 |
| 5.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 6.1 本文总结 | 第84-85页 |
| 6.2 工作展望 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 致谢 | 第92-94页 |
| 作者简介 | 第94-95页 |
