当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
金刚石薄膜的高速生长工艺研究
宽禁带半导体纳米结构制备及其场发射应用研究
多孔硅、纳米金属颗粒复合材料的制备及表征
基于多孔硅衬底的纳米薄膜材料的制备与表征
应用于微纳机电器件制造的电化学深刻蚀技术
用于光锥与CCD耦合系统的基于算子融合的自动对焦技术
硅(001)表面上硅化铒纳米结构的扫描隧道电子显微镜研究
Ⅰ 金属有机络合物薄膜的传质行为与热稳定性研究 Ⅱ PET中心辐射剂量监测与防护
金属有机配合物M-TCNQ微纳米结构的制备及电学性能研究
有机电致发光器件的稳定性研究
镶嵌在SiO2介质中的纳米晶Si的制备及其光致发光特性研究
铁电电容的性能测试方法和建模方法研究
硅基高κ材料的分子束外延生长
CVD金刚石薄膜的制备及其特性和器件化研究
新型聚对苯乙炔(PPV)衍生物的合成及其在发光二极管和太阳电池中的应用研究
ZnO半导体光电材料的制备及其性能的研究
氧化锌压敏电阻电输运特性及大通流器件设计研究
功率VDMOSFET体二极管的优化研究
可变线宽的无掩膜光刻理论与技术研究
基于透明电光陶瓷偏振控制器及其算法的设计与研究
低压功率VDMOSFET参数优化及栅电荷研究
微腔有机电致光器件相关问题的研究
Al-N共掺法生长p型ZnO及ZnO同质p-n结的制备
无源OLED256级灰度的子场控制技术方案的研究
PM-OLED带恒流源的驱动电路
功率器件无铅焊料焊接层可靠性研究
新结构SOI材料与器件物理研究
SGOI材料的SIMOX制备技术研究
厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究
离子注入掺Er富硅氧化硅材料研究
SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
埋嵌在高k介质中Ge纳米晶的制备及其电荷存储特性的研究
Al-N共掺法制备P型ZnO及其性能研究
单色有机电致发光器件的设计与制备
发光二极管照明国家发展预测模型研究
单片OEICs光器件的激光微细加工研制
MEMS中多孔硅基本特性及绝热性能研究
平面型共振隧穿二极管与共振隧穿晶体管的研究与应用
高线性功率音频晶体管设计
大直径直拉硅片的一种新型内吸杂工艺研究
宽带p型CuSCN薄膜的电沉积、结构与性能的研究
离子层气相反应法(ILGAR)制备硫属半导体薄膜的研究
SRO薄膜的直流溅射生长
有机电致发光器件的制备工艺及性能研究
InP/InGaAs单行载流子光电二极管的研究
多孔硅的光电特性研究及阵列化多孔硅的制备
利用掺锗的重掺硼硅衬底生长无失配位错的p/p~+硅外延片
射频功率晶体管研究
金属修饰的负载型复合半导体的制备及光催化CO2和丙烷合成异丁烯醛的反应性能
热电式微电源设计及性能研究
上一页
[159]
[160]
[161]
[162]
[163]
下一页