| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| ·功率半导体的应用及市场概况 | 第9-11页 |
| ·功率 MOSFET 发展 | 第11-13页 |
| ·低压功率VDMOSFET 性能优化研究的意义 | 第13-14页 |
| ·本文工作 | 第14-15页 |
| 第二章 低压功率 VDMOSFET 基本性能参数分析 | 第15-32页 |
| ·阈值电压V_th | 第15-16页 |
| ·反向恢复电荷 Qrr | 第16-19页 |
| ·VDMOSFET 反响恢复电荷在 DC-DC 电路影响 | 第16-17页 |
| ·反向恢复电荷理论推导 | 第17-19页 |
| ·击穿电压V_BR | 第19-21页 |
| ·导通电阻Ron | 第21-25页 |
| ·源电阻 | 第22页 |
| ·沟道电阻 | 第22-23页 |
| ·积累层电阻 | 第23页 |
| ·JFET 电阻 | 第23页 |
| ·漂移区电阻 | 第23-24页 |
| ·衬底电阻 | 第24页 |
| ·接触电阻 | 第24-25页 |
| ·导通电阻与击穿电压的极限关系 | 第25-26页 |
| ·栅电荷Qg | 第26-30页 |
| ·MOSFET 开关等效电路 | 第27-28页 |
| ·栅电荷曲线分析 | 第28-30页 |
| ·其它参数考虑 | 第30-32页 |
| ·dV/dt 能力 | 第30-31页 |
| ·平均栅驱动功耗 | 第31页 |
| ·封装寄生参量 | 第31-32页 |
| 第三章 低压功率 VDMOSFET 优化设计 | 第32-48页 |
| ·基本性能参数的仿真条件及仿真电路 | 第32-35页 |
| ·阈值电压Vth | 第32-33页 |
| ·反向恢复电荷 Qrr | 第33-34页 |
| ·击穿电压V_BR | 第34页 |
| ·导通电阻Ron | 第34-35页 |
| ·栅电荷Qg | 第35页 |
| ·确定可调器件结构参数的范围 | 第35-36页 |
| ·确定各器件特性参数随结构参数变化趋势 | 第36-45页 |
| ·调节PHV 浓度 | 第37-38页 |
| ·调节stddev | 第38-40页 |
| ·调节Poly 宽度 | 第40-41页 |
| ·调节P+浓度 | 第41-42页 |
| ·调节Epi 浓度 | 第42-45页 |
| ·得到目标参数组 | 第45页 |
| ·最优参数组波形图及优化前后的器件特性参数的比较 | 第45-48页 |
| ·最优参数组器件基本特性波形图 | 第46-47页 |
| ·优化前后器件特性参数的比较 | 第47-48页 |
| 第四章 低压功率 MOSFET 栅电荷研究 | 第48-67页 |
| ·目前国际上降低栅电荷的主要方法 | 第48-51页 |
| ·平面ACCUFET(Accumulation channel field effect transistor) | 第48-49页 |
| ·超低Q_GD功率MOSFET | 第49页 |
| ·提高了栅电荷性能的功率MOS 器件 | 第49-50页 |
| ·在有源元胞阵列外带保护电极并减小栅漏电容的晶体管结构 | 第50页 |
| ·超低导通电阻和低栅电荷的垂直MOSFET | 第50页 |
| ·低栅电荷Trench MOSFET | 第50-51页 |
| ·降低漏源反馈电容和密勒电容的超高密度Trench 栅功率管 | 第51页 |
| ·采用栅中间氧化层及栅下杂质注入 | 第51-58页 |
| ·器件结构和仿真物理模型 | 第52页 |
| ·栅电荷物理分析 | 第52-54页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第54-58页 |
| ·小结 | 第58页 |
| ·采用栅中间氧化层及栅下注入层和杂质岛 | 第58-67页 |
| ·器件结构和仿真物理模型 | 第58-59页 |
| ·栅电荷物理分析 | 第59-62页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第62-64页 |
| ·工艺仿真 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总 结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历、在学期间的学术论文 | 第71页 |
