射频功率晶体管研究

第一章 引言	第1-10页
第二章 理论基础	第10-22页
·晶体管的设计概述	第10-11页
·晶体管的高频特性	第11-13页
·晶体管的功率特性	第13-16页
·大注入效应	第13页
·大电流下的基区扩展效应	第13-14页
·发射极电流集边效应	第14页
·基区电导调制效应	第14-15页
·二次击穿	第15-16页
·晶体管的温度特性	第16-19页
·耐压特性	第19-21页
·金属化电极系统	第21-22页
第三章 射频功率晶体管的设计	第22-29页
·设计指标	第22页
·纵向结构参数设计	第22-25页
·横向结构参数设计	第25-26页
·DCT260F 电参数估算	第26-29页
第四章 用 MEDICI 对晶体管进行模拟	第29-37页
·初始网格的定义	第29页
·击穿电压的模拟	第29-31页
·I-V 特性的模拟	第31-33页
·对晶体管温度特性的模拟	第33-35页
·晶体管频率特性的模拟	第35-37页
第五章 镇流电路设计	第37-45页
·引言	第37-38页
·设计方法与实现	第38-43页
·结论	第43-45页
第六章 匹配滤波设计	第45-56页
·内匹配与匹配	第45-46页
·内匹配设计、模拟	第46-47页
·匹配与预定增益放大器设计过程	第47-51页
·微带线带通滤波器设计	第51-56页
第七章 版图设计与工艺实现	第56-59页
·DCT260F 版图	第56-57页
·DCT260F 工艺流程	第57-59页
结论和改进建议	第59-60页
参考文献	第60-62页
致谢	第62-63页
附录	第63-71页