| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-34页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第7-9页 |
| ·共振隧穿二极管工作原理 | 第9-15页 |
| ·共振隧穿三极管 | 第15-22页 |
| ·国内外研究进展 | 第22-28页 |
| ·分子束外延生长技术 | 第28-32页 |
| ·本论文的研究工作 | 第32-34页 |
| 第二章 平面型共振隧穿二极管的研制 | 第34-60页 |
| ·平面型共振隧穿二极管的提出和意义 | 第34-39页 |
| ·平面型共振隧穿二极管的材料结构设计 | 第39-41页 |
| ·平面型共振隧穿二极管的器件结构和版图设计 | 第41-45页 |
| ·平面型共振隧穿二极管的制作工艺 | 第45-48页 |
| ·平面型共振隧穿二极管的测试和分析 | 第48-60页 |
| 第三章 台面型共振隧穿二极管的研制 | 第60-68页 |
| ·台面型共振隧穿二极管的材料结构、器件结构和版图设计 | 第60-62页 |
| ·台面型共振隧穿二极管的制作工艺 | 第62-64页 |
| ·台面型共振隧穿二极管的测试分析 | 第64-68页 |
| 第四章 共振隧穿二极管的串联电阻对RTD 参数影响和测量 | 第68-80页 |
| ·RTD 串联电阻的形成 | 第68-70页 |
| ·RTD 串联电阻的形成 | 第70-73页 |
| ·RTD 串联电阻RS 的测量方法 | 第73-78页 |
| ·减少串联电阻的方法 | 第78-80页 |
| 第五章 平面RTD 与Si 基器件的混合集成 | 第80-105页 |
| ·关于MOBILE 电路的工作原理 | 第80-84页 |
| ·由平面RTD 和场效应管组成的电路 | 第84-98页 |
| ·由平面RTD 和三极管组成的电路 | 第98-105页 |
| 第六章 共振隧穿三极管（RTT）的研制 | 第105-126页 |
| ·RTT 的材料结构设计 | 第105-110页 |
| ·RTT 的器件结构、版图设计和制作工艺 | 第110-116页 |
| ·RTT 的测试和结果分析 | 第116-126页 |
| 第七章 总结 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-137页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第137-138页 |
| 攻读博士期间参加的科研情况 | 第138-139页 |
| 致谢 | 第139页 |