InP/InGaAs单行载流子光电二极管的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| ·背景 | 第8-9页 |
| ·长波长超高速光电探测器的概述 | 第9-13页 |
| ·垂直入射光电探测器(VPD) | 第10-11页 |
| ·边耦合波导型光电探测器(WGPD) | 第11-13页 |
| ·单行载流子光电二极管(UTC-PD) | 第13-16页 |
| ·工作原理 | 第13-14页 |
| ·边耦合多模波导型UTC-PD | 第14页 |
| ·UTC-PD 的应用 | 第14-16页 |
| 第二章 理论基础 | 第16-36页 |
| ·光电探测器的性能参量 | 第16-22页 |
| ·响应度和内量子效率 | 第16-17页 |
| ·介电驰豫时间 | 第17页 |
| ·响应时间和响应频率 | 第17-20页 |
| ·探测器的噪声特性 | 第20-21页 |
| ·暗电流 | 第21-22页 |
| ·UTC-PD 和pin-PD | 第22-23页 |
| ·UTC-PD 吸收层中载流子的产生和扩散 | 第23-29页 |
| ·UTC-PD 小信号模型 | 第29-32页 |
| ·吸收层中的自建电场 | 第32-33页 |
| ·输出饱和特性 | 第33-36页 |
| 第三章 器件设计 | 第36-45页 |
| ·外延材料的选择与生长 | 第36-39页 |
| ·外延材料的选择 | 第36-38页 |
| ·外延材料的生长 | 第38-39页 |
| ·外延层结构设计 | 第39-43页 |
| ·吸收层 | 第39-41页 |
| ·集结层 | 第41-42页 |
| ·外延层结构 | 第42-43页 |
| ·光耦合 | 第43页 |
| ·光耦合方式的选择 | 第43页 |
| ·增透膜 | 第43页 |
| ·封装结构 | 第43-45页 |
| 第四章 器件研制 | 第45-55页 |
| ·工艺流程 | 第45-46页 |
| ·光刻 | 第46-48页 |
| ·光刻目的 | 第46页 |
| ·光刻工序流程 | 第46-48页 |
| ·台面腐蚀 | 第48-51页 |
| ·腐蚀液的选取 | 第48-50页 |
| ·台面腐蚀工序流程 | 第50-51页 |
| ·台面钝化 | 第51-53页 |
| ·钝化膜的选取 | 第51页 |
| ·钝化膜制备工艺 | 第51-53页 |
| ·电极制备 | 第53-55页 |
| ·电极材料的选取 | 第53页 |
| ·电极的制作 | 第53-55页 |
| 第五章 实验结果与分析 | 第55-61页 |
| ·暗电流的测试与分析 | 第55-56页 |
| ·光电流和响应度的测试与分析 | 第56-59页 |
| ·光电流与反向偏压的关系 | 第57页 |
| ·光电流与光功率的关系 | 第57-59页 |
| ·频率响应的测试与分析 | 第59-61页 |
| 结束语 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录一:UTC-PD 样品照片 | 第66-67页 |
| 附录二:研究生期间发表的论文 | 第67页 |
| 附录三:个人简历 | 第67页 |
