当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
Ga2O3：Mn电致发光薄膜的制备及其特性研究
形貌控制的ZnO纳米材料红外光谱研究与分析
纵向多面栅MOSFET的器件设计与技术研究
MOSFET失配的研究及应用--高性能CMOS电荷泵的设计
多晶硅薄膜热膨胀系数在线测试结构的设计与模拟
掺杂式OLED的结构、EL特性及其工作机制研究
极紫外投影光刻掩模若干问题研究
酞菁铜有机场效应晶体管器件性能的研究
ZnO纳米晶的修饰、自组装及光学性质研究
有机微腔发光特性研究
高分辨力长线阵CCD驱动与信号提取技术研究
Cat-CVD LTPS-TFT制备技术研究
OLED驱动控制电路的研究
径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟研究
Ge掺杂ZnO薄膜结构和光致发光特性的研究
Si衬底GaN基蓝光LED器件性能研究
铜铬稀土引线框架材料的定量金相分析
强流脉冲离子束用外磁绝缘离子二极管的阳极聚合物研究
掺镧（钐）Bi2Ti2O7薄膜的制备及其性能研究
半导体纳米材料的制备及发光性质的研究
纳米二氧化锡薄膜的稀土钕掺杂效应
模板法制备氧化锌纳米线及其微结构研究
金属纳米线的制备及其偏光特性研究
ZnO薄膜的制备及氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成一维GaN纳米结构的研究
硅基SiC中间层辅助法合成GaN薄膜和纳米线的研究
多孔硅/纳米氧化锌复合材料发光的研究
SiC/SiO2纳米复合薄膜和低维ZnO纳米结构的制备及其特性研究
新型结构半导体材料的制备与表征
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究
半导体器件噪声—可靠性诊断方法研究
新型材料中过渡金属激活离子的磁相互作用及其微观自旋哈密顿理论研究
应变SiGe/Si异质结CMOS关键技术研究
Si1-xGexMOSFETs模拟技术研究
GaN基金属—铁电体—半导体场效应晶体管关键技术研究
4H-SiC埋沟MOSFET的特性模拟研究
亚100nm SOIMOSFET器件新结构及其性能研究
4H-SiC MESFET参数模型和射频放大器的设计
砷化镓射频功率MESFET大信号模型研究
硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究
碳化硅离子注入及欧姆接触的研究
大功率激光二极管光速特性研究
功率MOSFET应用研究及主电路设计
激光二极管光束质量评价方法研究
用光电导开关产生稳幅无晃动超快电脉冲的研究
SiCGe/SiC异质结光电二极管的数值模拟与特性分析
注入钒形成碳化硅半绝缘层的理论和技术研究
单晶炉勾形磁场的优化设计与实现
纳米ZnO薄膜的制备及光学特性的研究
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜及其发光特性研究
上一页
[158]
[159]
[160]
[161]
[162]
下一页
