| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·概述 | 第9-14页 |
| ·功率 MOSFET 的发展 | 第9-10页 |
| ·功率 MOSFET 的分类 | 第10-12页 |
| ·功率 VDMOSFET 的应用 | 第12-14页 |
| ·优化 VDMOSFET 体二极管的意义 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 功率 VDMOSFET 的重要参数 | 第17-29页 |
| ·漏极电流 | 第17页 |
| ·阈值电压 | 第17-19页 |
| ·导通电阻 | 第19-21页 |
| ·漏源击穿电压 | 第21-22页 |
| ·栅电荷 | 第22-25页 |
| ·栅电荷 | 第22-23页 |
| ·栅电荷曲线分析 | 第23-25页 |
| ·反向恢复电荷 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 从器件参数方面优化设计功率 VDMOSFET 体二极管 | 第29-51页 |
| ·目前国际上优化体二极管的方法 | 第29-31页 |
| ·VDMOSFET 基本参数的仿真电路及条件 | 第31-35页 |
| ·阈值电压 | 第31-32页 |
| ·导通电阻 | 第32页 |
| ·击穿电压 | 第32-33页 |
| ·栅电荷 | 第33-34页 |
| ·反向恢复电荷 | 第34-35页 |
| ·确定器件结构参数可调整的范围 | 第35-36页 |
| ·确定各器件特性参数随结构参数变化趋势 | 第36-42页 |
| ·调节 PHV 浓度 | 第36-38页 |
| ·调节 PHV 浓度分布的标准偏差 | 第38-39页 |
| ·调节栅宽 | 第39-40页 |
| ·调节 P~+浓度 | 第40-41页 |
| ·调节外延浓度 | 第41-42页 |
| ·最优器件参数组 | 第42页 |
| ·优化前后的器件性能参数的比较 | 第42-43页 |
| ·器件各基本参数变化的物理解释 | 第43-50页 |
| ·反向恢复电荷变化分析 | 第47-48页 |
| ·阈值电压变化分析 | 第48-49页 |
| ·击穿电压变化分析 | 第49页 |
| ·栅电荷变化分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章从器件结构方面优化设计功率 VDMOSFET 体二极管 | 第51-62页 |
| ·三极管与体二极管并联减小反向恢复电荷思路 | 第51-55页 |
| ·器件结构 | 第51-52页 |
| ·工艺过程 | 第52页 |
| ·器件特性分析 | 第52-55页 |
| ·结论 | 第55页 |
| ·肖特基二极管与体二极管并联减小反向恢复电荷思路 | 第55-61页 |
| ·器件结构 | 第55-56页 |
| ·MILLER 电容和反向恢复电荷减少的原理 | 第56-57页 |
| ·模拟结果和讨论 | 第57-60页 |
| ·反向恢复特性 | 第60-61页 |
| ·结论 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 附 录 | 第66-70页 |
| 个人简历 | 第70页 |