| 第一章 概述 | 第1-29页 |
| ·化学气相沉积的原理和应用 | 第13-17页 |
| ·化学气相沉积的原理 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积的分类和应用 | 第14-15页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第15-17页 |
| ·MOCVD反应器设计 | 第17-24页 |
| ·MOCVD反应器设计要求 | 第17-18页 |
| ·垂直式反应器 | 第18-20页 |
| ·水平式反应器 | 第20-22页 |
| ·行星式反应器 | 第22-24页 |
| ·化学气相沉积反应器内的输运过程 | 第24-27页 |
| ·CVD反应器内的对流涡旋 | 第24-26页 |
| ·CVD反应器内的扩散过程 | 第26-27页 |
| ·本论文的研究目的和主要工作 | 第27-29页 |
| 第二章 MOCVD反应器数学模型的建立 | 第29-37页 |
| ·几何模型 | 第29-31页 |
| ·基本假设 | 第31-32页 |
| ·控制方程 | 第32-33页 |
| ·边界条件 | 第33页 |
| ·气体热物性参数 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 数值模拟方法 | 第37-44页 |
| ·控制方程的离散 | 第37-39页 |
| ·网格划分 | 第39-40页 |
| ·数值求解流程 | 第40页 |
| ·收敛条件 | 第40-41页 |
| ·FLUENT软件简介 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第四章 模拟结果一: 操作参数和反应器几何因素对输运现象的影响 | 第44-57页 |
| ·操作参数对反应器输运现象的影响 | 第44-51页 |
| ·低压强的影响 | 第44-45页 |
| ·微重力的影响 | 第45-46页 |
| ·三重进口气体流量的影响 | 第46-48页 |
| ·上壁面温度的影响 | 第48-50页 |
| ·基片公转的影响 | 第50-51页 |
| ·反应器几何因素的影响 | 第51-56页 |
| ·反应器几何形状和尺寸的影响 | 第51-55页 |
| ·临界值判断 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 模拟结果二: 反应器的优化 | 第57-63页 |
| ·上壁面倾斜反应器的优化 | 第57-59页 |
| ·上壁面水平反应器的优化 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第六章 模拟结果三: 影响浓度场的主要因素 | 第63-69页 |
| ·热扩散对浓度场的影响 | 第63-64页 |
| ·压强对浓度场的影响 | 第64-65页 |
| ·流场对浓度场的影响 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第七章 模拟结果四: Benard对流 | 第69-76页 |
| ·Benard对流概述 | 第69-72页 |
| ·MOCVD反应器内Benard对流的模拟 | 第72-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第八章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |