| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 综述 | 第8-29页 |
| ·前言 | 第8-12页 |
| ·GaN材料的发展 | 第8-10页 |
| ·GaN发光器件的的应用 | 第10-12页 |
| ·LEDs | 第10-11页 |
| ·激光器二极管(LDs) | 第11-12页 |
| ·GaN的基本结构 | 第12-15页 |
| ·GaN衬底的选择 | 第15-19页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第17页 |
| ·SiC衬底 | 第17-18页 |
| ·Si衬底 | 第18-19页 |
| ·Si衬底 | 第19-23页 |
| ·Si衬底结构和性能 | 第19-20页 |
| ·在Si(001)衬底上的生长GaN | 第20-21页 |
| ·在Si(111)衬底上生长GaN | 第21-23页 |
| ·Si(111)基LED | 第23页 |
| ·硅基GaN材料生长和器件 | 第23-24页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-29页 |
| 第二章 Si衬底GaN基LED器件的可靠性 | 第29-39页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验 | 第29-37页 |
| ·GaN LED芯片高温老化电参数的变化 | 第29-32页 |
| ·Si衬底GaN基LED的可靠性 | 第32-37页 |
| ·Si衬底GaN基LED EL谱干涉曲线 | 第34-35页 |
| ·EL强度谱随时间的变化 | 第35-36页 |
| ·EL谱随电流的变化 | 第36-37页 |
| ·结论 | 第37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 Si衬底GaN基LED结温特性研究 | 第39-49页 |
| ·引言 | 第39-42页 |
| ·电压随温度变化的物理机理 | 第42页 |
| ·实验 | 第42-45页 |
| ·电压温度系数的测量 | 第42-44页 |
| ·结温的计算 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-47页 |
| ·结论 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 Si衬底GaN基LED的理想因子与其结晶性能关系研究 | 第49-56页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·理想因子的计算 | 第49-50页 |
| ·实验 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间已发表及待发表的论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |