| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·国内外研究发展状况 | 第9-11页 |
| ·本文工作的目的、意义及内容 | 第11-13页 |
| 第二章 应变Si和应变SiGe物理模型 | 第13-27页 |
| ·Si／SiGe材料系统的应变晶格结构 | 第13-15页 |
| ·应变Si的物理参数模型 | 第15-21页 |
| ·应变Si能带结构 | 第15-16页 |
| ·应变Si载流子有效质量 | 第16-17页 |
| ·应变Si有效状态密度和本征载流子浓度 | 第17-19页 |
| ·应变Si迁移率模型 | 第19-21页 |
| ·应变SiGe的物理参数模型 | 第21-26页 |
| ·应变SiGe能带结构 | 第21-23页 |
| ·应变SiGe载流子有效质量 | 第23页 |
| ·应变SiGe有效状态密度和本征载流子浓度 | 第23-25页 |
| ·应变SiGe载流子迁移率 | 第25页 |
| ·应变SiGe介电常数 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 应变Si和应变SiGe沟道MOSFET | 第27-42页 |
| ·Si／SiGe异质结量子阱和二维载流子气 | 第27-28页 |
| ·SiGe／Si p-MOSFET的基本原理和结构 | 第28-35页 |
| ·应变SiGe沟道p-MOSFET | 第28-31页 |
| ·调制掺杂SiGe p-MOSFET | 第31-33页 |
| ·应变Si／SiGe双沟p-MOSFET | 第33-35页 |
| ·Si／SiGe n-MOSFET的基本原理和结构 | 第35-38页 |
| ·应变Si沟道n-MOSFET | 第35-37页 |
| ·调制掺杂应变Si n-MOSFET | 第37-38页 |
| ·应变SiGe／Si MOSFET关键技术 | 第38-41页 |
| ·弛豫SiGe缓冲层技术 | 第39页 |
| ·SGOI和SSOI技术 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS | 第42-52页 |
| ·平行结构SiGe／Si HCMOS | 第42-48页 |
| ·Si衬底HCMOS | 第42-43页 |
| ·SiGe虚衬底HCMOS | 第43-44页 |
| ·应变Si／应变Si_(1-x)Ge_x双沟HCMOS | 第44-48页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS | 第48-51页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS结构设计 | 第48-50页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS工作原理 | 第50页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS工艺设计 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS模拟优化 | 第52-82页 |
| ·Medici模型修正 | 第52-55页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS模拟分析 | 第55-62页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS能带结构 | 第56-57页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS电子和空穴的面密度 | 第57-58页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS直流特性 | 第58-60页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS交流特性 | 第60-62页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS结构参数分析 | 第62-77页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS结构优化设计 | 第77-80页 |
| ·垂直层叠共栅SiGe／Si HCMOS反相器 | 第80-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第六章 结论 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-94页 |
| 在读期间主要研究成果 | 第94页 |
