| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| ·研究的目的与意义 | 第12-16页 |
| ·SiC的基本特性和应用优势 | 第12-14页 |
| ·SiC材料、场效应器件和CMOS电路的国内外研究动态 | 第14-16页 |
| ·SiC场效应器件关键工艺技术分析 | 第16-18页 |
| ·欧姆接触 | 第16-17页 |
| ·氧化工艺 | 第17-18页 |
| ·刻蚀工艺 | 第18页 |
| ·当前研究中需要解决的问题 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 SiC电子输运特性分析 | 第21-45页 |
| ·SiC电子霍耳迁移率解析模型 | 第21-33页 |
| ·晶体结构及能带模型欧姆接触 | 第21-22页 |
| ·散射率模型 | 第22-24页 |
| ·霍耳迁移率和散射因子模型的建立 | 第24-27页 |
| ·模拟结果及分析 | 第27-33页 |
| ·SiC高场电子输运特性模拟 | 第33-43页 |
| ·物理模型 | 第33页 |
| ·SiC的系综蒙特卡罗模拟方法物理模型 | 第33-39页 |
| ·模拟结果及分析 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 SiC金属-半导体场效应晶体管解析模型 | 第45-60页 |
| ·电流-电压特性模型 | 第45-52页 |
| ·线性区漏电流模型分析 | 第45-47页 |
| ·饱和区漏电流模型分析 | 第47-52页 |
| ·小信号参数模型 | 第52-56页 |
| ·漏电导模型 | 第52-54页 |
| ·跨导模型 | 第54-56页 |
| ·模拟结果及分析 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 基于表面势的SiC MOSFET解析模型 | 第60-72页 |
| ·薄层电荷模型的基本思想 | 第60-61页 |
| ·表面电场和表面势模型 | 第61-64页 |
| ·漏电流和小信号参数模型 | 第64-68页 |
| ·漏电流模型的推导 | 第64-66页 |
| ·小信号参数模型 | 第66-68页 |
| ·模拟结果及分析 | 第68-72页 |
| 第五章 SiC CMOS倒相器温度特性研究 | 第72-80页 |
| ·电路结构设计 | 第72-73页 |
| ·基本模拟方法和模型的选取 | 第73-76页 |
| ·基本模拟方法 | 第73-74页 |
| ·模型和算法的选取 | 第74-76页 |
| ·模拟结果及分析 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第六章 SiC场效应器件关键工艺技术研究 | 第80-106页 |
| ·欧姆接触工艺 | 第80-89页 |
| ·欧姆接触基本理论分析 | 第80-82页 |
| ·离子注入制备欧姆接触电阻 | 第82-87页 |
| ·高掺杂外延材料上欧姆接触的制备及测试 | 第87-89页 |
| ·氧化工艺 | 第89-96页 |
| ·SiC热氧化机理分析 | 第90页 |
| ·SiC热氧化生长技术的研究 | 第90-96页 |
| ·刻蚀工艺 | 第96-105页 |
| ·实验装置及工作原理 | 第96-98页 |
| ·刻蚀气体的选择 | 第98-99页 |
| ·材料及工艺流程设计 | 第99-100页 |
| ·测试与讨论 | 第100-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 第七章 结束语 | 第106-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-119页 |
| 作者在攻读博士学位期间的研究成果 | 第119-120页 |