Cat-CVD LTPS-TFT制备技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| §1.1 平板显示现状 | 第7-8页 |
| §1.2 无源矩阵和有源矩阵驱动 | 第8-10页 |
| §1.3 TFT技术及发展状况 | 第10-11页 |
| §1.4 TFT的结构和工作原理 | 第11-13页 |
| §1.5 本文的研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 多晶硅薄膜的电学理论 | 第15-29页 |
| §2.1 多晶硅薄膜基本电学特征 | 第15-17页 |
| §2.2 SETO导电理论 | 第17-22页 |
| §2.3 多晶硅薄膜导电模型的修正 | 第22-23页 |
| §2.4 多晶硅薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
| §2.5 多晶硅的表征方法 | 第25-26页 |
| §2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第三章 CAT-CVD动力学 | 第29-39页 |
| §3.1 化学气相沉积动力学 | 第29-34页 |
| §3.1.1 格罗夫模型 | 第30-31页 |
| §3.1.2 边界层和质量传输系数 | 第31-34页 |
| §3.2 CAT-CVD动力学 | 第34-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 CAT-CVD低温多晶硅的制备和表征 | 第39-51页 |
| §4.1 CAT-CVD试验设备的搭建 | 第39-41页 |
| §4.2 氢气稀释率对薄膜质量的影响 | 第41-46页 |
| §4.3 压强对薄膜质量的影响 | 第46-48页 |
| 小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 OLED像素TFT工艺设计 | 第51-59页 |
| §5.1 TFT-OLED像素结构和显示原理 | 第51-52页 |
| §5.2 OLED像素TFT工艺设计 | 第52-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60-61页 |
| 作者简介 | 第60页 |
| 发表的主要学术论文与申请专利 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
