| 第一章 绪论 | 第1-25页 |
| ·SiC 材料基本特性 | 第13-14页 |
| ·SiC MOSFET 器件和电路研究进展 | 第14-21页 |
| ·SiC 功率MOSFET 的研究进展 | 第15-17页 |
| ·SiC MOSFET 电路研究进展 | 第17-19页 |
| ·SiC MOSFET 中沟道迁移率的提高 | 第19-21页 |
| ·SiC 隐埋沟道MOSFET 的研究现状 | 第21-23页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第23-25页 |
| 第二章 埋沟 MOSFET 工作机理研究 | 第25-39页 |
| ·埋沟MOSFET 的工作模式 | 第25-27页 |
| ·器件结构 | 第25页 |
| ·埋沟器件工作模式 | 第25-27页 |
| ·SiC 隐埋沟道MOS 结构电特性的分析 | 第27-31页 |
| ·各种表面状态下的能带图 | 第27-28页 |
| ·数值分析 | 第28-31页 |
| ·埋沟MOS 结构电子和电势分布 | 第31-37页 |
| ·电子和电势分布 | 第31-34页 |
| ·器件参数对埋沟MOS结构电特性的影响 | 第34-36页 |
| ·杂质不完全离化的影响 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 4H-SiC 隐埋沟道 MOS 结构 C-V 特性研究 | 第39-53页 |
| ·埋沟模式和夹断模式下泊松方程解析解 | 第39-41页 |
| ·各种工作模式下泊松方程的形式 | 第39-40页 |
| ·埋沟模式下的电势分布 | 第40页 |
| ·夹断模式下泊松方程的求解 | 第40-41页 |
| ·C-V 特性的计算 | 第41-49页 |
| ·隐埋沟道MOS 结构和常规MOS 结构C-V 特性曲线的比较 | 第41-42页 |
| ·C-V 特性计算的基本公式 | 第42页 |
| ·表面电容分析 | 第42-45页 |
| ·计算结果和实验结果的比较 | 第45-47页 |
| ·各参数对埋沟MOS 结构C-V 特性的影响 | 第47-48页 |
| ·高频C-V 特性分析 | 第48-49页 |
| ·参数提取分析 | 第49-52页 |
| ·衬底载流子浓度提取分析 | 第49-50页 |
| ·沟道载流子浓度提取分析 | 第50-51页 |
| ·注入沟道深度的提取 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 4H-SiC 隐埋沟道 MOSFET 电流-电压特性研究 | 第53-70页 |
| ·阈值电压 | 第54-55页 |
| ·4H-SiC 电流电压特性的数学分析 | 第55-60页 |
| ·非饱和区的电流电压关系 | 第55-58页 |
| ·饱和漏电压的计算 | 第58-59页 |
| ·线性区漏电流的计算 | 第59页 |
| ·平均电容对器件特性的影响 | 第59-60页 |
| ·平均迁移率模型的建立 | 第60-63页 |
| ·迁移率模型概述 | 第60页 |
| ·平均迁移率模型的建立 | 第60-63页 |
| ·亚阈特性研究 | 第63-69页 |
| ·关断条件下的电流电压关系 | 第63-64页 |
| ·等效沟道厚度的计算 | 第64-65页 |
| ·沟道中峰值电势的计算 | 第65-67页 |
| ·亚阈电流的计算 | 第67-68页 |
| ·亚阈摆幅的计算及参数提取分析 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 4H-SiC 隐埋沟道 MOSFET 实验设计 | 第70-93页 |
| ·材料参数和器件结构 | 第70-71页 |
| ·实验材料 | 第70页 |
| ·器件结构 | 第70-71页 |
| ·4H-SiC 隐埋沟道MOSFET 工艺版图设计 | 第71-73页 |
| ·离子注入工艺设计 | 第73-81页 |
| ·离子注入研究现状 | 第73-74页 |
| ·离子注入杂质分布的模拟 | 第74-75页 |
| ·注入沟道深度的设计考虑 | 第75-78页 |
| ·源漏离子注入和埋沟注入的实验设计 | 第78-79页 |
| ·高温退火工艺 | 第79页 |
| ·高温退火后SiC 表面评估 | 第79-81页 |
| ·栅氧化工艺设计 | 第81-85页 |
| ·SiC 热氧化机理 | 第82页 |
| ·SiC 热氧化工艺研究现状 | 第82-84页 |
| ·SiC 的氧化速率 | 第84-85页 |
| ·栅氧化工艺实验设计 | 第85页 |
| ·欧姆接触工艺设计 | 第85-88页 |
| ·研究现状 | 第85-87页 |
| ·欧姆接触金属的选择 | 第87页 |
| ·欧姆接触比接触电阻的测试方法 | 第87-88页 |
| ·工艺流程 | 第88-89页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 初步测试 | 第89-91页 |
| ·欧姆接触的测试 | 第89-91页 |
| ·电流电压关系的初步测试 | 第91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第六章 4H-SiC 隐埋沟道 MOSFET 测试分析 | 第93-128页 |
| ·参数提取方法 | 第93-95页 |
| ·氧化层厚度的提取 | 第93页 |
| ·衬底载流子浓度提取方法 | 第93页 |
| ·注入沟道深度提取方法 | 第93-94页 |
| ·沟道载流子浓度提取方法 | 第94-95页 |
| ·CV 特性的测试 | 第95-100页 |
| ·栅源电容测试及分析 | 第95-98页 |
| ·沟道载流子浓度的提取 | 第98-100页 |
| ·一种新的提取界面态密度的方法 | 第100页 |
| ·电流电压关系的测试 | 第100-114页 |
| ·阈值电压的测试 | 第100-104页 |
| ·输出特性的测试 | 第104-107页 |
| ·转移特性和跨导 | 第107-110页 |
| ·亚阈特性分析 | 第110-112页 |
| ·栅氧化层漏电分析 | 第112-113页 |
| ·埋沟MOSFET 实验研制中的寄生效应 | 第113-114页 |
| ·沟道迁移率的提取 | 第114-118页 |
| ·漏导和有效迁移率 | 第114-117页 |
| ·跨导和场效应迁移率 | 第117-118页 |
| ·源漏串联电阻和界面态对迁移率的影响 | 第118-123页 |
| ·理论分析 | 第118-120页 |
| ·源漏串联电阻和界面态对迁移率的影响 | 第120-123页 |
| ·工艺改进方案 | 第123-126页 |
| ·初次投片所存在的主要问题和改进方案 | 第123-124页 |
| ·离子注入及退火以后的表面分析 | 第124-126页 |
| ·本章小结 | 第126-128页 |
| 第七章 总结 | 第128-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-145页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目及完成的学术论文 | 第145-146页 |
