| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·多面栅MOSFET 的研究背景 | 第8-9页 |
| ·多面栅MOSFET 的研究与发展现状 | 第9-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 多面栅MOSFET 基础理论研究 | 第14-22页 |
| ·双面栅MOSFET 的基本结构及工作原理 | 第14-15页 |
| ·双面栅MOSFET 体反型现象的研究 | 第15-21页 |
| ·QM 模型及反型层质心的物理意义 | 第15-17页 |
| ·基于反型层质心的薄膜双面栅MOSFET 亚阈值区反型电荷及亚阈值电流模型 | 第17-18页 |
| ·体反型现象的分析 | 第18-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 多面栅MOSFET 的理论模型 | 第22-33页 |
| ·双面栅MOSFET 的等电位假设 | 第22-24页 |
| ·双面栅MOSFET 亚阈值区电流模型 | 第24-25页 |
| ·双面栅MOSFET 的阈值电压模型 | 第25-28页 |
| ·双面栅MOSFET 的完整电流模型 | 第28-31页 |
| ·双面栅MOSFET 的亚阈值斜率模型 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 纵向多面栅MOSFET 结构、工艺及版图的设计 | 第33-42页 |
| ·基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET 的结构设计 | 第33-34页 |
| ·基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET 的工艺及版图设计 | 第34-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 纵向多面栅MOSFET 的测试与特性分析 | 第42-67页 |
| ·测试图形及测试内容 | 第42-43页 |
| ·测试结果及问题分析 | 第43-54页 |
| ·第一次流水测试 | 第43-46页 |
| ·第二次流水测试 | 第46-51页 |
| ·第三次流水测试 | 第51-54页 |
| ·沟道非均匀掺杂器件的研究方法探索 | 第54-58页 |
| ·研究背景及意义 | 第54-55页 |
| ·研究原理与方法 | 第55-57页 |
| ·模拟结果及分析 | 第57-58页 |
| ·载流子迁移率的研究及提取 | 第58-66页 |
| ·载流子迁移率的散射机制及分析模型 | 第58-62页 |
| ·载流子迁移率的实验提取 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 关键工艺分析与改进方案 | 第67-73页 |
| ·主要的工艺限制与影响因素 | 第67-68页 |
| ·侧壁刻蚀的方法及研究 | 第68-72页 |
| ·干法深槽刻蚀 | 第68-70页 |
| ·湿法深槽刻蚀 | 第70页 |
| ·刻蚀侧壁纹路的处理 | 第70-72页 |
| ·工艺及结构改进 | 第72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 总结 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
