| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| ·SiCGe／SiC异质结的研究背景 | 第7-8页 |
| ·本文的主要工作和内容安排 | 第8-10页 |
| 第二章 SiCGe和SiC的特性及其物理模型 | 第10-19页 |
| ·SiCGe材料特性及其物理模型的理论计算 | 第10-14页 |
| ·晶格常数 | 第10-11页 |
| ·能带 | 第11-12页 |
| ·载流子的迁移率 | 第12-13页 |
| ·光吸收系数 | 第13-14页 |
| ·SiC材料的电学性质与物理模型 | 第14-18页 |
| ·本征载流子浓度与能带结构 | 第14-15页 |
| ·能带的窄化 | 第15-16页 |
| ·不完全电离 | 第16页 |
| ·载流子迁移率 | 第16-17页 |
| ·载流子的复合与寿命 | 第17-18页 |
| ·碰撞电离 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 SiCGe／SiC异质结光谱响应的模拟与分析 | 第19-31页 |
| ·SiCGe／SiC异质结结构 | 第19-20页 |
| ·SiCGe与6H-SiC的晶格匹配 | 第19页 |
| ·异质结的结构 | 第19-20页 |
| ·SiCGe／SiC异质结光谱响应的模拟与讨论 | 第20-30页 |
| ·光响应的理论分析 | 第20-21页 |
| ·模拟与讨论 | 第21-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 SiCGe／SiC异质结PIN型光电二极管的特性模拟与分析 | 第31-45页 |
| ·器件结构 | 第31-32页 |
| ·光响应度 | 第32-36页 |
| ·理论分析 | 第32页 |
| ·模拟与讨论 | 第32-36页 |
| ·开关特性 | 第36-42页 |
| ·理论分析 | 第36-37页 |
| ·模拟与讨论 | 第37-42页 |
| ·SiCGe／SiC异质结PIN型光电二极管的光电特性 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 主要结论 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第50页 |
