| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1． 1 GAN基MIS器件的研究进展 | 第8-10页 |
| 1． 2 本论文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 材料特性 | 第12-21页 |
| 2． 1 氮化镓材料特性 | 第12-14页 |
| 2． 1． 1 氮化镓的晶体结构 | 第12-13页 |
| 2． 1． 2 氮化镓的电学参数 | 第13-14页 |
| 2． 2 锆钛酸铅(PZT)材料的特性 | 第14-19页 |
| 2． 2． 1 铁电体的定义 | 第15-16页 |
| 2． 2． 2 锆钛酸铅(PZT)的结构 | 第16-17页 |
| 2． 2． 3 铁电材料的电学特性 | 第17-19页 |
| 2． 3 本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 实验制备 | 第21-35页 |
| 3． 1 GAN材料的工艺技术 | 第21-24页 |
| 3． 1． 1 GaN材料制备的衬底材料选择 | 第21-22页 |
| 3． 1． 2 GaN材料的生长方法 | 第22-24页 |
| 3． 2 PZT薄膜制备工艺技术 | 第24-26页 |
| 3． 2． 1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第24-25页 |
| 3． 2． 2 真空蒸发法 | 第25页 |
| 3． 2． 3 溅射法 | 第25页 |
| 3． 2． 4 脉冲激光沉积法(PLD，pulse laser deposition) | 第25页 |
| 3． 2． 5 化学气相沉积法CVD(chemical vapor deposition) | 第25-26页 |
| 3． 2． 6 分子束外延法(MBE) | 第26页 |
| 3． 3 PZT薄膜的溶胶-凝胶制备原理和方法 | 第26-34页 |
| 3． 3． 1 Sol-Gel法薄膜制备技术的基本原理 | 第26-28页 |
| 3． 3． 2 PZT薄膜制备所需药品 | 第28-29页 |
| 3． 3． 3 实验步骤 | 第29-34页 |
| 3． 4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 MFS结构的电学模型和实验结果分析 | 第35-56页 |
| 4． 1 传统MOS结构C-V和阈值电压理论 | 第35-40页 |
| 4． 1． 1 理想的MOS结构C-V | 第35-37页 |
| 4． 1． 2 实际的MOS C-V曲线 | 第37-39页 |
| 4． 1． 3 阈值电压 | 第39-40页 |
| 4． 2 铁电薄膜的C-V特性 | 第40-44页 |
| 4． 2． 1 Zuleeg-Dey模型 | 第42-43页 |
| 4． 2． 2 混合模型 | 第43-44页 |
| 4． 3 半导体MFS结构的模型 | 第44-48页 |
| 4． 3． 1 铁电薄膜极化的模型 | 第44-45页 |
| 4． 3． 2 MFS的C-V特性及分析 | 第45-48页 |
| 4． 4 GAN基的MFS的电学特性 | 第48-49页 |
| 4． 4． 1 GaN基的MFS的阈值电压计算 | 第48-49页 |
| 4． 4． 2 MFS-FET的电流模型 | 第49页 |
| 4． 5 GAN基MFS结构的模拟和测试 | 第49-55页 |
| 4． 5． 1 GaN基MFS和MIS结构的模拟 | 第49-51页 |
| 4． 5． 2 测试条件 | 第51页 |
| 4． 5． 3 测试结果和分析 | 第51-55页 |
| 4． 6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 研究成果 | 第61页 |
