| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1． 1 引言 | 第8页 |
| 1． 2 国内外的研究状况 | 第8-9页 |
| 1． 3 本论文的主要研究内容 | 第9-11页 |
| 第二章 锗硅材料的性质 | 第11-19页 |
| 2． 1 Si/SiGe晶格 | 第11-12页 |
| 2． 2 能带结构 | 第12-16页 |
| 2． 2． 1 应力对硅的影响 | 第13-15页 |
| 2． 2． 2 应力对应变Si_(1-x)Ge_x的影响 | 第15-16页 |
| 2． 3 传输特性 | 第16-17页 |
| 2． 3． 1 驰豫SiGe | 第16页 |
| 2． 3． 2 应变SiGe | 第16-17页 |
| 2． 3． 3 应变硅 | 第17页 |
| 2． 4 小结 | 第17-19页 |
| 第三章 应变硅表面沟道NMOSFET | 第19-30页 |
| 3． 1 应变硅NMOSFET短沟道阈值电压模型 | 第19-23页 |
| 3． 1． 1 长沟道应变硅NMOS阈值电压模型 | 第19-21页 |
| 3． 1． 2 短沟道应变硅NMOS阈值电压模型 | 第21页 |
| 3． 1． 3 模拟计算与结果分析 | 第21-23页 |
| 3． 1． 4 结论 | 第23页 |
| 3． 2 应变硅NMOSFET有效迁移率模型 | 第23-27页 |
| 3． 2． 1 晶格散射决定的迁移率 | 第23-24页 |
| 3． 2． 2 库仑散射决定的迁移率 | 第24页 |
| 3． 2． 3 表面散射决定的迁移率 | 第24页 |
| 3． 2． 4 载流子间散射决定的迁移率 | 第24-25页 |
| 3． 2． 5 应变硅NMOSFET的有效迁移率模型 | 第25页 |
| 3． 2． 6 结论 | 第25-27页 |
| 3． 3 应变硅表面沟道NMOSFET电学特性 | 第27-29页 |
| 3． 3． 1 有效迁移率 | 第27页 |
| 3． 3． 2 Ⅰ-Ⅴ特性 | 第27-28页 |
| 3． 3． 3 跨导、漏导和特征频率 | 第28-29页 |
| 3． 4 小结 | 第29-30页 |
| 第四章 应变硅表面沟道PMOSFET | 第30-42页 |
| 4． 1 应变硅表面沟道PMOSFET短沟道阈值电压模型 | 第30-34页 |
| 4． 1． 1 长沟道阈值电压模型 | 第30-32页 |
| 4． 1． 2 短沟道阈值电压模型 | 第32-33页 |
| 4． 1． 3 结果讨论 | 第33-34页 |
| 4． 1． 4 结论 | 第34页 |
| 4． 2 应变硅PMOSFET反型层空穴迁移率模型 | 第34-39页 |
| 4． 2． 1 晶格散射决定的迁移率 | 第35-36页 |
| 4． 2． 2 库仑散射决定的迁移率 | 第36页 |
| 4． 2． 3 表面散射决定的迁移率 | 第36页 |
| 4． 2． 4 应变硅PMOSFET的有效迁移率模型 | 第36-38页 |
| 4． 2． 5 结论 | 第38-39页 |
| 4． 3 表面沟道PMOSFET的电气特性 | 第39-41页 |
| 4． 3． 1 表面沟道PMOSFET的电荷面密度 | 第39页 |
| 4． 3． 2 Ⅰ-Ⅴ特性 | 第39-40页 |
| 4． 3． 3 跨导、漏导和特征频率 | 第40-41页 |
| 4． 4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 量子SiGe沟道PMOSFET | 第42-54页 |
| 5． 1 量子沟道PMOSFET的阈值电压模型 | 第42-45页 |
| 5． 1． 1 长沟道阈值电压模型 | 第42-44页 |
| 5． 1． 2 短沟道阈值电压模型 | 第44页 |
| 5． 1． 3 模拟计算与结果分析 | 第44-45页 |
| 5． 2 量子沟道PMOSFET迁移率模型 | 第45-50页 |
| 5． 2． 1 晶格散射 | 第46-47页 |
| 5． 2． 2 库仑散射 | 第47页 |
| 5． 2． 3 合金散射 | 第47页 |
| 5． 2． 4 载流子间散射 | 第47-48页 |
| 5． 2． 5 有效迁移率 | 第48页 |
| 5． 2． 6 模拟计算与结果分析 | 第48-50页 |
| 5． 3 量子沟道PMOSFET电学特性 | 第50-53页 |
| 5． 3． 1 沟道电荷面密度 | 第50-51页 |
| 5． 3． 2 ⅠⅤ特性 | 第51页 |
| 5． 3． 3 跨导、漏导和特征频率 | 第51-53页 |
| 5． 4 小结 | 第53-54页 |
| 第六章 仿真软件--SiGe-Sim | 第54-60页 |
| 6． 1 SiGe-Sim的设计思想及功能 | 第54页 |
| 6． 2 软件的使用 | 第54-59页 |
| 6． 3 小结 | 第59-60页 |
| 第七章 总结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 在读期间研究成果 | 第67页 |
