| 第一章 有机场效应晶体管器件简介 | 第1-41页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·有机半导体及导电材料的发现及其应用 | 第12-15页 |
| ·有机半导体及导电材料的发现 | 第12-13页 |
| ·有机半导体及导电聚合物的应用 | 第13-15页 |
| ·有机场效应晶体管简介 | 第15-26页 |
| ·有机薄膜晶体管的结构特点 | 第15-17页 |
| ·有机半导体材料的分类及结构特点 | 第17-20页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作机理 | 第20-23页 |
| ·有机薄膜晶体管的发展历程 | 第23-26页 |
| ·有机电子的现状及发展趋势 | 第26-30页 |
| ·本论文的主要内容 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-41页 |
| 第二章 栅绝缘层对有机薄膜形态及其晶体管性能的影响 | 第41-74页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·有机薄膜生长和OFET的制备 | 第41-50页 |
| ·有机薄膜生长的基本理论 | 第41-44页 |
| ·薄膜的生长方式 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-47页 |
| ·材料体系的选择 | 第45-46页 |
| ·设备研制 | 第46-47页 |
| ·CuPc—OFET器件的制备 | 第47-50页 |
| ·CuPc—OFET器件结构选择 | 第47-48页 |
| ·CuPc—OFET的制备过程 | 第48-49页 |
| ·典型的CuPc-OFET器件的性能 | 第49-50页 |
| ·不同衬底材料上的CuPc薄膜形态及其OFET器件的性能 | 第50-64页 |
| ·TaOx衬底上温度对CuPc薄膜形态及其OFET器件性能的影响 | 第50-56页 |
| ·TaOx衬底上CuPc薄膜形态随衬底温度的变化 | 第50-52页 |
| ·TaOx衬底上衬底温度对CuPc薄膜结构的影响 | 第52-54页 |
| ·具备不同薄膜形态的器件的性能 | 第54-56页 |
| ·SiNx衬底上温度对CuPc薄膜形态及其OFET器件性能的影响 | 第56-60页 |
| ·SiNx衬底上CuPc薄膜形态随衬底温度的变化 | 第56-57页 |
| ·SiNx衬底上不同衬底温度的CuPc薄膜结构 | 第57-59页 |
| ·SiNx衬底上不同薄膜形态的器件性能 | 第59-60页 |
| ·SiO_2衬底上温度对CuPc薄膜形态及其OFET器件性能的影响 | 第60-64页 |
| ·SiO_2衬底上CuPc薄膜形态随衬底温度的变化 | 第61-62页 |
| ·SiO_2衬底上不同衬底温度下的CuPc薄膜结构 | 第62-63页 |
| ·SiO_2衬底上具备不同薄膜形态的器件性能 | 第63-64页 |
| ·绝缘介质表面能对CuPc—OFET器件性能的影响 | 第64-70页 |
| ·绝缘介质表面能的测试 | 第64-65页 |
| ·具有不同表面能的绝缘介质对CuPc薄膜形态的影响 | 第65-67页 |
| ·具有不同表面能的绝缘介质对CuPc-OFET性能的影响 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 第三章 有机场效应晶体管器件稳定性的研究 | 第74-104页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·引起阈值电压漂移的直接隧穿机制简介 | 第75-78页 |
| ·实验方案与方法 | 第78-80页 |
| ·实验方案 | 第78-79页 |
| ·测试方法 | 第79-80页 |
| ·N型OFET的阈值电压漂移 | 第80-90页 |
| ·阈值电压在连续栅偏压下的漂移 | 第80-82页 |
| ·阈值电压漂移与偏置时间的关系 | 第82-83页 |
| ·闽值电压漂移与温度的关系 | 第83-85页 |
| ·绝缘膜中的载流子重新分布与P—F导电机制 | 第85-90页 |
| ·P—F导电机制 | 第85-87页 |
| ·MIM结构的电流-电压特性 | 第87-90页 |
| ·P型OFET的阈值电压漂移 | 第90-101页 |
| ·阈值电压在连续栅偏压下的漂移 | 第90-92页 |
| ·CuPc-OFET的阈值电压漂移与偏置时间的关系 | 第92-93页 |
| ·绝缘膜对CuPc-OFET的阈值电压漂移的影响 | 第93-94页 |
| ·不同绝缘膜的CuPc—OFET的C—V特性 | 第94-101页 |
| ·MIS结构C-V特性测试简介 | 第94-97页 |
| ·CuPc—MIS的C—V特性 | 第97-98页 |
| ·不同栅绝缘层的CuPc—MIS的高频C—V特性 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第四章 新型OFET器件以及器件参数的优化 | 第104-131页 |
| ·引言 | 第104-105页 |
| ·新型底电极WET器件 | 第105-120页 |
| ·新型底电极OFET器件的结构与制备方法 | 第105-108页 |
| ·新型底电极OFET器件性能与常规WET器件性能的比较 | 第108-112页 |
| ·附加绝缘膜材料对新型底电极OFET器件的性能 | 第112-116页 |
| ·附加绝缘膜厚度(d_(ai))对新型底电极OFET器件性能的影响 | 第116-117页 |
| ·高性能新型底电极OFET器件的原理分析 | 第117-120页 |
| a.顶电极器件的接触电阻对器件性能的影响 | 第117-118页 |
| b.电场分布的影响 | 第118-120页 |
| ·OFET器件有源层厚度的优化 | 第120-127页 |
| ·引言 | 第120-121页 |
| ·实验方法 | 第121页 |
| ·不同厚度有源层OFET器件的性能 | 第121-123页 |
| ·实验结果分析 | 第123-127页 |
| ·本章小结 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-131页 |
| 第五章 有机半导体载流子输运机制的研究 | 第131-155页 |
| ·引言 | 第131-132页 |
| ·有机材料中的电荷传输 | 第132-141页 |
| ·跳跃模型(hoppingmodel) | 第132-134页 |
| ·小极化子模型(smallpolaronmodel) | 第134-136页 |
| ·多重捕获与释放模型(multipletrappingandreleasemodel) | 第136页 |
| ·多晶晶界陷阱模型(grainboundarytrappingmodel) | 第136-141页 |
| ·有关CuPc—OFET场效应迁移率的实验现象 | 第141-147页 |
| ·CuPc—OFET场效应迁移率与栅电压的关系 | 第141-142页 |
| ·掺杂对CuPc—OFET场效应迁移率的影响 | 第142-144页 |
| ·CuPc—OFET场效应迁移率与温度的关系 | 第144-145页 |
| ·实验结果分析 | 第145-147页 |
| ·多晶模型的数值模拟 | 第147-152页 |
| ·模型的建立 | 第147-150页 |
| ·模拟结果 | 第150-152页 |
| ·小结 | 第152页 |
| 参考文献 | 第152-155页 |
| 第六章 总结 | 第155-157页 |
| 发表论文和申请专利 | 第157-159页 |
| 致谢 | 第159-160页 |
| 作者简介 | 第160-162页 |
| 长春光学精密机械与物理研究所博士学位论文原创性声明 | 第162页 |
