| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| 1． 1 SiC材料和4H-MESFET的特性 | 第8-9页 |
| 1． 2 4H-SiC MESFET国内外研究进展 | 第9-11页 |
| 1． 3 4H-SiC MESFET研究意义 | 第11-14页 |
| 1． 4 本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET非线性模型研究 | 第15-27页 |
| 2． 1 4H-SiC MESFET小信号参数提取 | 第15-20页 |
| 2． 1． 1 4H-SiCMESFET小信号等效电路 | 第16-17页 |
| 2． 1． 2 4H-SiC MESFET小信号寄生参数提取 | 第17-19页 |
| 2． 1． 3 4H-SiC MESFET小信号本征参数提取 | 第19-20页 |
| 2． 2 4 H-SiC MESFET MEDICI的高频小信号物理模型 | 第20-22页 |
| 2． 3 4H-SiC MESFEI高频非线性物理特性 | 第22-25页 |
| 2． 4． 1 源漏电流特性 | 第22-23页 |
| 2． 4． 2 非线性电容特性 | 第23-25页 |
| 2． 4 4H-SiC MESFET物理模型-大信号模型研究 | 第25-26页 |
| 2． 5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 4H-SiC MESFET大信号准解析模型 | 第27-38页 |
| 3． 1 4H-SiC MESFET大信号等效电路 | 第27-28页 |
| 3． 2 电流模型 | 第28-31页 |
| 3． 2． 1 源漏电流Ids模型 | 第28-31页 |
| 3． 2． 2 栅源电流Igs和栅漏电流Igd模型 | 第31页 |
| 3． 3 4H-SiC MESFET大信号非线性电容模型 | 第31-34页 |
| 3． 3． 1 栅源电容Cgs和Qgs | 第32-33页 |
| 3． 3． 2 栅漏电容Cgd并Qgd | 第33页 |
| 3． 3． 3 源漏电容Cds | 第33-34页 |
| 3． 3． 4 小信号与大信号模型的自洽性考虑 | 第34页 |
| 3． 4 4H-SiC MESFET准解析大信号模型的验证 | 第34-37页 |
| 3． 5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 4H-SiC MESFET射频功率放大器设计 | 第38-51页 |
| 4． 1 射频功率放大器设计参数 | 第39-41页 |
| 4． 2 匹配网络 | 第41-44页 |
| 4． 2． 1 集总参数匹配网络 | 第42页 |
| 4． 2． 3 分布参数匹配网络 | 第42-44页 |
| 4． 3 射频功率放大器的设计 | 第44-50页 |
| 4． 3． 1 小信号放大器设计 | 第45-47页 |
| 4． 3． 2 功率放大器的分析和优化 | 第47-50页 |
| 4． 4 本章小结 | 第50-51页 |
| 结束语 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第64页 |
