功率MOSFET应用研究及主电路设计
| 1. 概述 | 第1-13页 |
| ·本课题的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·磁控溅射国内外研究及应用现状 | 第9页 |
| ·磁控溅射工艺原理 | 第9-11页 |
| ·课题的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 2. 主电路设计 | 第13-32页 |
| ·改进型倍流整流电路ZVS PWM全桥变换器 | 第13-30页 |
| ·主电路结构的确定 | 第13-15页 |
| ·主电路工作原理 | 第15-18页 |
| ·主电路参数设计 | 第18-26页 |
| ·主电路仿真 | 第26-30页 |
| ·倍流整流方式零电压开关三电平直流变换器 | 第30-32页 |
| 3. 功率MOSFET驱动电路研究 | 第32-55页 |
| ·功率MOSFET驱动电路分析 | 第32-39页 |
| ·功率MOSFET驱动电路特点 | 第32-33页 |
| ·功率MOSFET驱动特性分析 | 第33-36页 |
| ·功率MOSFET驱动电路的要求及注意事项 | 第36-38页 |
| ·驱动电路分类 | 第38-39页 |
| ·加速驱动电路 | 第39-41页 |
| ·负偏压电路 | 第41-42页 |
| ·高端功率MOSFET驱动电路研究 | 第42-44页 |
| ·驱动电路设计 | 第44-52页 |
| ·栅极有效电容的计算及驱动电流的确定 | 第44-45页 |
| ·驱动电路参数计算 | 第45-47页 |
| ·驱动电路设计 | 第47-52页 |
| ·寄生参数及布局对驱动的影响 | 第52-55页 |
| ·栅极功率驱动电路的寄生效应分析及对策 | 第52-53页 |
| ·布局的考虑 | 第53-55页 |
| 4. 功率MOSFET的并联特性研究 | 第55-67页 |
| ·影响并联均流的因素及改善措施 | 第55-57页 |
| ·静态均流 | 第55-56页 |
| ·动态均流 | 第56页 |
| ·均流改善措施 | 第56-57页 |
| ·各参数及频率对并联均流影响仿真分析 | 第57-66页 |
| ·器件参数对并联均流的影响及均流措施 | 第59-62页 |
| ·寄生参数对均流的影响 | 第62-63页 |
| ·栅极驱动参数对均流的影响 | 第63-66页 |
| ·改善并联不均流的仿真分析 | 第66-67页 |
| ·调节栅极电阻 | 第66页 |
| ·串联电阻 | 第66页 |
| ·源极电感的均流作用 | 第66-67页 |
| 5. MOSFET缓冲电路的分析与设计 | 第67-84页 |
| ·缓冲电路概述 | 第67-68页 |
| ·缓冲电路的工作原理及参数计算 | 第68-73页 |
| ·电压尖峰产生的机理 | 第68-69页 |
| ·缓冲电路工作原理与参数计算 | 第69-73页 |
| ·影响缓冲效果的各因素仿真 | 第73-78页 |
| ·缓冲电路组数不同对缓冲效果的影响 | 第74-75页 |
| ·缓冲电路各参数对缓冲效果的影响 | 第75-76页 |
| ·主回路寄生电感的影响 | 第76页 |
| ·负载性质对缓冲的影响 | 第76-77页 |
| ·开关频率对缓冲效果的影响 | 第77-78页 |
| ·并联MOSFET作为开关器件的器变桥缓冲仿真 | 第78-80页 |
| ·减小开关损耗的轨迹法 | 第80-84页 |
| 6. 全文总结 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 论文发表情况 | 第90页 |
