| 第一章 引言 | 第1-14页 |
| 1． 1 碳化硅材料的优势和研究意义 | 第8-10页 |
| 1． 2 碳化硅进展MOSFET进展情况及存在的主要问题 | 第10-12页 |
| 1． 3 SiC埋沟MOSFET的研究意义及发展现状 | 第12页 |
| 1． 4 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 4H-SiC埋沟MOSFET的模型和工作机理 | 第14-28页 |
| 2． 1 4H-SiC埋沟MOSFET的模型选取 | 第14-19页 |
| 2． 1． 1 漂移-扩散模型 | 第14-16页 |
| 2． 1． 2 迁移率模型 | 第16-17页 |
| 2． 1． 3 不完全电离模型 | 第17页 |
| 2． 1． 4 数值计算方法的选择 | 第17-19页 |
| 2． 2 4H-SiC埋沟MOSFET的输运机理 | 第19-25页 |
| 2． 2． 1 表面积累模式 | 第19页 |
| 2． 2． 2 部分积累部分耗尽模式 | 第19-20页 |
| 2． 2． 3 耗尽模式 | 第20页 |
| 2． 2． 4 夹断模式 | 第20页 |
| 2． 2． 5 表面反型模式 | 第20-25页 |
| 2． 3 4H-SiC埋沟MOSFET的电流输运方程 | 第25-26页 |
| 2． 3． 1 阈值电压 | 第25-26页 |
| 2． 3． 2 场效应迁移率 | 第26页 |
| 2． 4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 4H-SiC埋沟MOSFET的伏安特性模拟 | 第28-43页 |
| 3． 1 器件结构对4H-SiC埋沟MOSFET伏安特性的影响 | 第31-39页 |
| 3． 1． 1 栅极材料 | 第31-32页 |
| 3． 1． 2 掺杂浓度 | 第32-34页 |
| 3． 1． 3 栅氧化层厚度 | 第34-35页 |
| 3． 1． 4 沟道深度 | 第35-38页 |
| 3． 1． 5 界面态 | 第38-39页 |
| 3． 2 4H-SiC埋沟MOSFET的温度特性模拟 | 第39-42页 |
| 3． 3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 4H-SiC埋沟MOSFET的实验研制 | 第43-46页 |
| 4． 1 实验材料和主要工艺参数 | 第43页 |
| 4． 2 实验结果及其分析 | 第43-45页 |
| 4． 2． 1 实验结果 | 第43-45页 |
| 4． 2． 2 实验结果分析 | 第45页 |
| 4． 3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第52页 |
