当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
固结磨料抛光垫的制备与抛光应用研究
IGBT串联均压技术的研究
无电解电容的高亮度LED驱动电源研究
过渡金属掺杂ZnO结构、光学性质及理论研究
全光谱高显色性钪硅酸盐LED荧光粉的研究
氮掺杂p型ZnO相关问题研究
硅基LED量子阱相关特性及芯片p面技术研究
硅衬底氮化镓基蓝光LED发光特性研究
多孔硅的制备及发光机理的研究
低色温高显色性白光LED的制备及性能研究
ZnO基稀磁半导体薄膜材料的PLD制备及其性质研究
GaN纳米结构的CVD法制备与表征
磁控溅射制备PbTe薄膜及Al惨杂性能的研究
β-Ga2O3薄膜及其复合薄膜的激光分子束外延法制备及性能研究
GaMnN稀磁半导体材料的制备与性能研究
利用纳米银盘阵列增强LED发光特性研究
基于铜薄膜的CMP微观去除机理试验研究
石墨烯的常压CVD法制备工艺参数研究及其在激光器调Q中的应用
新型半导体材料的制备及性能研究
若干信息功能氧化物薄膜材料的光电跃迁研究
射频微波SiGe HBT建模与参数提取技术研究
射频微波MOS器件参数提取与建模技术研究
基于石墨烯通道的场效应晶体管的可制造性研究
磷光白光有机电致发光器件载流子平衡及性能优化的研究
大功率开关晶体管的设计与制造
高耐压过流保护用PTCR热敏电阻器的研究
LED稀土荧光材料的表面等离子体荧光增强的研究
冶金提纯法制备太阳能级多晶硅研究
脉冲激光沉积氧化锌及其相关多层膜的研究
硅片化学机械抛光加工区域中抛光液动压和温度研究
p-ZnO薄膜和ZnO发光器件的制备与研究
紫外光敏宽禁带半导体材料的设计与制备
磷光OLEDs的效率和效率roll-off特性的影响因素及改进方法
有机薄膜晶体管中接触效应的研究
蓝光二吡唑并吡啶衍生物光电特性的研究
退火处理及修饰层对固态阴极射线发光性能影响的研究
白色磷光敏化聚合物电致发光器件的研究
有机磁阻效应的探索
压电智能器件力电耦合特性分析
全湿法制备PLED的研究
界面修饰对氧化锌基薄膜晶体管性能的影响
铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究
低温晶片键合技术及其在硅基长波长雪崩光电探测器中的应用研究
单晶硅片超精密磨削减薄技术试验研究
光电探测器关键性能参数测试研究
提高复合电沉积金刚石切割片性能的试验研究
SiO2/SiC界面氮氢等离子体处理及电学特性研究
基于ISE的MOSFET器件电学特性模拟分析与研究
GaN基LED芯片可靠性优化技术研究
AlGaN/GaN肖特基势垒二极管制作工艺与器件特性研究
上一页
[132]
[133]
[134]
[135]
[136]
下一页
