摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-21页 |
·引言 | 第10页 |
·GaN的结构和基本性质 | 第10-12页 |
·GaN基LED衬底材料的选择 | 第12-14页 |
·衬底材料选择的参考因素 | 第12-13页 |
·GaN外延生长的主要衬底材料 | 第13-14页 |
·GaN基LED的发光效率及droop效应 | 第14-19页 |
·LED的发光效率与droop效应 | 第14-15页 |
·提高发光效率改善droop效应的研究进展 | 第15-19页 |
·本论文的主要工作 | 第19-21页 |
第2章 LED量子效率的描述及droop效应 | 第21-32页 |
·发光二极管量子效率的描述 | 第21-23页 |
·影响内量子效率因素的分析 | 第23-30页 |
·缺陷的影响 | 第23-25页 |
·自发辐射复合系数的影响 | 第25-26页 |
·俄歇复合的影响 | 第26-29页 |
·载流子泄漏 | 第29-30页 |
·droop效应的分析 | 第30-31页 |
·小结 | 第31-32页 |
第3章 单阱蓝光LED阱中应力和发光效率的研究 | 第32-51页 |
·以单阱研究GaN基LED特性的可行性和优点 | 第32-33页 |
·GaN基单阱蓝光LED量子阱中的应力分析 | 第33-43页 |
·单阱LED中InGaN阱层与GaN之间的失配度 | 第33-34页 |
·高质量单阱蓝光GaN基LED的制备 | 第34-36页 |
·单阱蓝光GaN基LED的电致发光(EL)谱 | 第36-41页 |
·影响LED发光波长的主要因素分析 | 第41-43页 |
·GaN基单阱蓝光LED阱droop效应的研究 | 第43-50页 |
·内量子效率(IQE)的分析 | 第43-44页 |
·单阱蓝光LED的变温IQE曲线 | 第44-45页 |
·电子泄漏对单阱蓝光LED droop效应的影响 | 第45-46页 |
·单阱蓝光LED的IQE与工作电压的关系 | 第46-48页 |
·单阱蓝光LED发光峰的半高宽 | 第48-50页 |
·小结 | 第50-51页 |
第4章 多阱蓝光LED的发光特性与droop效应的分析 | 第51-68页 |
·多阱蓝光LED封装后样品的发光特性 | 第51-53页 |
·多阱蓝光LED样品的制备 | 第51页 |
·封装后LED样品的EL特性 | 第51-53页 |
·多阱蓝光LED的变温EL特性 | 第53-64页 |
·多阱蓝光LED的变温光谱 | 第53-57页 |
·多阱蓝光LED的变温IQE曲线 | 第57-59页 |
·俄歇复合模型对变温IQE曲线模拟 | 第59-63页 |
·电子泄漏模型对常温IQE曲线模拟 | 第63-64页 |
·电子泄漏引起droop效应的具体分析 | 第64-65页 |
·多阱LED发光的其它特性 | 第65-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
第5章 单阱与多阱蓝光LED发光特性的比较 | 第68-90页 |
·单阱与多阱蓝光LED封装样品的EL对比 | 第68-71页 |
·样品的制备 | 第68页 |
·封装后样品的发光特性 | 第68-71页 |
·单阱与多阱裸芯样品变温EL的对比 | 第71-87页 |
·单阱与多阱蓝光LED变温IQE曲线的对比 | 第71-75页 |
·单阱与多阱蓝光LED变温WLD曲线的对比 | 第75-79页 |
·单阱与多阱蓝光LED变温FWHM曲线的对比 | 第79-83页 |
·不同温度下LED样品发光时的正向电压 | 第83-87页 |
·位错对蓝光LED发光特性的影响 | 第87-88页 |
·小结 | 第88-90页 |
第6章 不同位置的垒掺硅LED的发光特性 | 第90-109页 |
·样品的制备 | 第90-91页 |
·样品在常温下的发光特性 | 第91-94页 |
·样品PL发光与EL发光WLD的比较 | 第91-93页 |
·封装后样品的EL发光特性 | 第93-94页 |
·样品变温IQE曲线之间的对比 | 第94-96页 |
·样品的EL光谱分析 | 第96-105页 |
·样品1的EL光谱图 | 第96-100页 |
·样品2-5的EL光谱图 | 第100-105页 |
·样品1量子阱发光模型 | 第105-108页 |
·小结 | 第108-109页 |
第七章 总结和展望 | 第109-111页 |
参考文献 | 第111-124页 |
致谢 | 第124-125页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第125页 |