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硅衬底氮化镓基蓝光LED发光特性研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第1章 绪论第10-21页
   ·引言第10页
   ·GaN的结构和基本性质第10-12页
   ·GaN基LED衬底材料的选择第12-14页
     ·衬底材料选择的参考因素第12-13页
     ·GaN外延生长的主要衬底材料第13-14页
   ·GaN基LED的发光效率及droop效应第14-19页
     ·LED的发光效率与droop效应第14-15页
     ·提高发光效率改善droop效应的研究进展第15-19页
   ·本论文的主要工作第19-21页
第2章 LED量子效率的描述及droop效应第21-32页
   ·发光二极管量子效率的描述第21-23页
   ·影响内量子效率因素的分析第23-30页
     ·缺陷的影响第23-25页
     ·自发辐射复合系数的影响第25-26页
     ·俄歇复合的影响第26-29页
     ·载流子泄漏第29-30页
   ·droop效应的分析第30-31页
   ·小结第31-32页
第3章 单阱蓝光LED阱中应力和发光效率的研究第32-51页
   ·以单阱研究GaN基LED特性的可行性和优点第32-33页
   ·GaN基单阱蓝光LED量子阱中的应力分析第33-43页
     ·单阱LED中InGaN阱层与GaN之间的失配度第33-34页
     ·高质量单阱蓝光GaN基LED的制备第34-36页
     ·单阱蓝光GaN基LED的电致发光(EL)谱第36-41页
     ·影响LED发光波长的主要因素分析第41-43页
   ·GaN基单阱蓝光LED阱droop效应的研究第43-50页
     ·内量子效率(IQE)的分析第43-44页
     ·单阱蓝光LED的变温IQE曲线第44-45页
     ·电子泄漏对单阱蓝光LED droop效应的影响第45-46页
     ·单阱蓝光LED的IQE与工作电压的关系第46-48页
     ·单阱蓝光LED发光峰的半高宽第48-50页
   ·小结第50-51页
第4章 多阱蓝光LED的发光特性与droop效应的分析第51-68页
   ·多阱蓝光LED封装后样品的发光特性第51-53页
     ·多阱蓝光LED样品的制备第51页
     ·封装后LED样品的EL特性第51-53页
   ·多阱蓝光LED的变温EL特性第53-64页
     ·多阱蓝光LED的变温光谱第53-57页
     ·多阱蓝光LED的变温IQE曲线第57-59页
     ·俄歇复合模型对变温IQE曲线模拟第59-63页
     ·电子泄漏模型对常温IQE曲线模拟第63-64页
   ·电子泄漏引起droop效应的具体分析第64-65页
   ·多阱LED发光的其它特性第65-67页
   ·小结第67-68页
第5章 单阱与多阱蓝光LED发光特性的比较第68-90页
   ·单阱与多阱蓝光LED封装样品的EL对比第68-71页
     ·样品的制备第68页
     ·封装后样品的发光特性第68-71页
   ·单阱与多阱裸芯样品变温EL的对比第71-87页
     ·单阱与多阱蓝光LED变温IQE曲线的对比第71-75页
     ·单阱与多阱蓝光LED变温WLD曲线的对比第75-79页
     ·单阱与多阱蓝光LED变温FWHM曲线的对比第79-83页
     ·不同温度下LED样品发光时的正向电压第83-87页
   ·位错对蓝光LED发光特性的影响第87-88页
   ·小结第88-90页
第6章 不同位置的垒掺硅LED的发光特性第90-109页
   ·样品的制备第90-91页
   ·样品在常温下的发光特性第91-94页
     ·样品PL发光与EL发光WLD的比较第91-93页
     ·封装后样品的EL发光特性第93-94页
   ·样品变温IQE曲线之间的对比第94-96页
   ·样品的EL光谱分析第96-105页
     ·样品1的EL光谱图第96-100页
     ·样品2-5的EL光谱图第100-105页
   ·样品1量子阱发光模型第105-108页
   ·小结第108-109页
第七章 总结和展望第109-111页
参考文献第111-124页
致谢第124-125页
攻读学位期间的研究成果第125页

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