| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·GaN 半导体材料 | 第10-13页 |
| ·直接带隙宽禁带半导体 | 第10-11页 |
| ·GaN 的结构及性质 | 第11-12页 |
| ·GaN 半导体材料的应用 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体 | 第13-16页 |
| ·稀磁半导体的定义及发展 | 第13-14页 |
| ·GaN 基稀磁半导体的应用 | 第14页 |
| ·GaN 基稀磁半导体研究现状 | 第14-16页 |
| ·磁性基础介绍 | 第16-20页 |
| ·磁无序 | 第16-18页 |
| ·磁有序 | 第18-20页 |
| ·束缚磁极化子(BMP)理论 | 第20页 |
| ·论文章节内容安排介绍 | 第20-22页 |
| 第二章 GaN 基稀磁半导体制备方法和分析手段 | 第22-30页 |
| ·GaN 基稀磁半导体制备方法 | 第22-25页 |
| ·卤化物气相外延(HVPE) | 第22页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第22页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第22页 |
| ·离子注入 | 第22-23页 |
| ·本文的实验设备 | 第23-24页 |
| ·本文实验的操作步骤 | 第24-25页 |
| ·GaN 基稀磁半导体分析手段 | 第25-30页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第25页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)和附带的能量散射 X 射线谱(EDX) | 第25-26页 |
| ·X 射线光电子谱(XPS) | 第26页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第26-27页 |
| ·拉曼谱(Raman) | 第27页 |
| ·紫外可见透射谱(UV) | 第27-28页 |
| ·磁性测量 | 第28-30页 |
| 第三章 Mn 离子价态对 GaMnN 稀磁半导体材料磁性的影响 | 第30-42页 |
| ·制备薄膜样品 | 第30页 |
| ·实验结果及其分析 | 第30-41页 |
| ·本章结论 | 第41-42页 |
| 第四章 氮空位对 GaMnN 稀磁半导体材料磁性的影响 | 第42-50页 |
| ·制备薄膜样品 | 第42页 |
| ·实验结果及其分析 | 第42-48页 |
| ·本章结论 | 第48-50页 |
| 第五章 氧元素共掺杂对 GaMnN 稀磁半导体材料磁性的影响 | 第50-56页 |
| ·制备薄膜样品 | 第50页 |
| ·实验结果及其分析 | 第50-54页 |
| ·本章结论 | 第54-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第56页 |
| ·对今后研究的建议 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
