利用纳米银盘阵列增强LED发光特性研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 缩略词索引 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-22页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·表面等离激元简介 | 第14-20页 |
| ·表面等离激元的产生与色散关系 | 第14-19页 |
| ·SPP特征长度 | 第19-20页 |
| ·研究目的和意义 | 第20页 |
| ·论文主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 LED基础知识 | 第22-33页 |
| ·LED物理机制 | 第22-26页 |
| ·LED发光原理 | 第22页 |
| ·直接带隙与间接带隙材料 | 第22-23页 |
| ·同质结与异质结 | 第23-24页 |
| ·辐射性复合与非辐射性复合 | 第24-25页 |
| ·量子阱 | 第25-26页 |
| ·LED发光效率 | 第26-32页 |
| ·几种常用效率概念 | 第26-27页 |
| ·内量子效率 | 第27-28页 |
| ·光逃逸角锥 | 第28-31页 |
| ·LED辐射方向性 | 第31页 |
| ·提高LED发光效率的方法 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 含纳米金属结构的LED模型的数值计算方法 | 第33-54页 |
| ·LED建模 | 第33-34页 |
| ·Maxwell方程 | 第34-36页 |
| ·Yee元胞 | 第36-38页 |
| ·三维直角坐标下的FDTD方程 | 第38-41页 |
| ·数值稳定性 | 第41页 |
| ·吸收边界条件 | 第41-45页 |
| ·Mur吸收边界条件 | 第42-44页 |
| ·理想匹配层 | 第44-45页 |
| ·激励源 | 第45-48页 |
| ·时域近场-远场变换 | 第48-50页 |
| ·金属色散模型 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 采用纳米银盘阵列提高LED发光特性的研究 | 第54-65页 |
| ·p-GaN中嵌入纳米银盘阵列的LED计算模型 | 第55-56页 |
| ·自发辐射率和光提取效率增强倍数的计算 | 第56-57页 |
| ·银纳米圆盘结构对LED自发辐射率的影响 | 第57-60页 |
| ·银纳米圆盘结构对LED光提取效率的影响 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·主要工作和结果 | 第65-66页 |
| ·研究展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第74-75页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第75页 |
