中文摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-20页 |
·引言 | 第8-9页 |
·化学机械抛光简介 | 第9-12页 |
·CMP 原理 | 第9-10页 |
·化学机械抛光机组成与优点 | 第10-11页 |
·抛光垫的种类与作用 | 第11-12页 |
·抛光液磨粒的特性 | 第12页 |
·CMP 三种接触模式 | 第12-17页 |
·完全直接接触的建模分析 | 第13-15页 |
·非直接接触的建模分析 | 第15-16页 |
·半直接接触式建模分析 | 第16-17页 |
·研究意义和研究内容 | 第17-20页 |
第二章 CMP 中纳米颗粒的作用、去除机理和数学模型的建立 | 第20-28页 |
·CMP 中纳米抛光磨粒的试验研究 | 第20-21页 |
·磨粒去除经典模型和机理 | 第21-24页 |
·Preston 模型 | 第21-22页 |
·Mahajan 模型 | 第22-23页 |
·单颗磨粒的单分子层吸附去除机理 | 第23-24页 |
·单颗磨粒微观去除模型建立 | 第24-27页 |
·单颗磨粒的压入深度 | 第24-25页 |
·单颗磨粒的去除率 | 第25-27页 |
·本章小结 | 第27-28页 |
第三章 铜薄膜的制备和性能表征 | 第28-40页 |
·磁控溅射法 | 第28-30页 |
·磁控溅射原理 | 第28-29页 |
·溅射镀膜设备的主要功能与技术特性 | 第29-30页 |
·铜薄膜的制备 | 第30-31页 |
·材料和参数 | 第30页 |
·实验方案 | 第30页 |
·实验步骤 | 第30-31页 |
·铜薄膜的热处理 | 第31-32页 |
·铜薄膜的性能表征 | 第32-37页 |
·扫描电镜简介 | 第32页 |
·扫描电镜原理 | 第32-34页 |
·扫描电镜结果分析 | 第34页 |
·XRD 简介 | 第34-36页 |
·XRD 结果分析 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-40页 |
第四章 基于 AFM 的微观去除模拟实验 | 第40-46页 |
·原子力显微镜发展 | 第40页 |
·原子力显微镜的基本原理 | 第40-41页 |
·原子力显微镜的工作模式 | 第41-42页 |
·轻敲模式(Tapping Mode) | 第41-42页 |
·接触模式(Contact Mode) | 第42页 |
·非接触模式(Non-contact Mode) | 第42页 |
·AFM 划痕实验 | 第42-44页 |
·实验仪器和工艺参数 | 第42页 |
·实验方案 | 第42-43页 |
·实验结果与分析 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-46页 |
第五章 结论与展望 | 第46-48页 |
·结论 | 第46页 |
·展望 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-54页 |
致谢 | 第54-56页 |
攻读学位期间参加的项目和发表的论文 | 第56-57页 |