| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第8页 |
| ·半导体发展概况 | 第8-9页 |
| ·MOSFET器件概况 | 第9-18页 |
| ·MOSFET的核心 | 第9-10页 |
| ·MOSFET的结构 | 第10-11页 |
| ·MOSFET的操作模式 | 第11-12页 |
| ·MOSFET的应用 | 第12-14页 |
| ·MOSFET的尺寸缩放 | 第14-16页 |
| ·MOSFET的栅极材料 | 第16-17页 |
| ·各种常见的MOSFET技术 | 第17-18页 |
| ·MOSFET与IGBT的对比 | 第18页 |
| ·半导体器件模拟概述 | 第18-19页 |
| ·工艺及器件仿真工具ISE-TCAD | 第19-24页 |
| ·工艺仿真工具DEVISE | 第20页 |
| ·器件仿真工具DESSIS | 第20-21页 |
| ·设计流程 | 第21-22页 |
| ·Sentaurus-WorkBench TCAD设计平台 | 第22-24页 |
| 第二章 器件模拟的基本方程及数值方法 | 第24-28页 |
| ·半导体器件模拟的基本方程 | 第24-26页 |
| ·半导体器件数值模拟方法 | 第26-28页 |
| 第三章 MOSFET的器件结构及模型 | 第28-34页 |
| ·MOSFET器件结构 | 第28页 |
| ·MOSFET器件模拟所用模型 | 第28-34页 |
| ·带隙和电子亲和能模型 | 第28-31页 |
| ·复合模型 | 第31-34页 |
| 第四章 MOSFET器件的模拟结果 | 第34-41页 |
| ·只考虑沟道层半导体材料In_(0.53)Ga_(0.47)As的非故意轻微N型掺杂的输出特性模拟 | 第34-35页 |
| ·只考虑源漏串联电阻的输出特性模拟 | 第35-36页 |
| ·只考虑界面陷阱的输出特性模拟 | 第36-38页 |
| ·只考虑沟道层载流子迁移率的输出特性模拟 | 第38-39页 |
| ·综合考虑以上四个参数的模拟结果 | 第39-41页 |
| 第五章 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 附录A 主要符号对照表 | 第45-46页 |
| 附录B InAs材料参数库 | 第46-49页 |
| 附录C GaAs材料参数库 | 第49-52页 |
| 附录D Si材料参数库(部分) | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |