基于石墨烯通道的场效应晶体管的可制造性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·石墨烯的发展历史和材料特性 | 第8-13页 |
| ·石墨烯的结构 | 第9-10页 |
| ·石墨烯的性质 | 第10-11页 |
| ·石墨烯的应用前景 | 第11-13页 |
| ·石墨烯的主要制备方法及优缺点 | 第13-16页 |
| ·机械剥离法 | 第13-14页 |
| ·化学气象沉积法 | 第14-15页 |
| ·碳化硅外延生长法 | 第15-16页 |
| ·石墨烯通道晶体管 | 第16页 |
| ·发展现状 | 第16-20页 |
| 第二章 石墨烯场效应晶体管 | 第20-31页 |
| ·场效应管的结构及特性 | 第20-23页 |
| ·绝缘栅场效应管的结构 | 第20-21页 |
| ·工作原理和特性 | 第21-23页 |
| ·MOSFET 的工艺 | 第23-24页 |
| ·石墨烯通道场效应管的基本结构和工艺 | 第24-30页 |
| ·碳化硅基底的准备和掺杂 | 第27页 |
| ·石墨烯界面层的形成 | 第27-28页 |
| ·电极的生长 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第三章 器件工艺仿真模型及结果 | 第31-49页 |
| ·工艺仿真工具 | 第31-33页 |
| ·MOSFET 参数的定性分析 | 第33-35页 |
| ·石墨烯 FET 工艺仿真 | 第35-48页 |
| ·基底掺杂及退火 | 第37-38页 |
| ·界面层生长 | 第38-39页 |
| ·源漏及掺杂 | 第39-42页 |
| ·金属极生长 | 第42-43页 |
| ·高阻层和金属栅极生长 | 第43-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第四章 器件性能仿真模型及结果 | 第49-61页 |
| ·电流电压特性 | 第49-52页 |
| ·阈值电压 | 第52-54页 |
| ·栅极长度 | 第54-60页 |
| ·栅极长度对 IV 特性的影响 | 第55-57页 |
| ·栅极长度对频率特性的影响 | 第57-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结和展望 | 第61-64页 |
| ·总结 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第68-69页 |
