| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-37页 |
| ·概况 | 第12-14页 |
| ·LED发展简史 | 第12-13页 |
| ·白光LED技术革新突飞猛进 | 第13-14页 |
| ·蓝光LED技术路线三足鼎立 | 第14页 |
| ·硅基LED技术路线 | 第14-25页 |
| ·硅基外延Ⅲ-Ⅴ材料所面临的挑战 | 第15-17页 |
| ·解决硅基GaN材料生长的途径 | 第17-21页 |
| ·硅基LED的最新研究进展 | 第21-25页 |
| ·功率型LED先进芯片技术 | 第25-31页 |
| ·薄膜型TF芯片技术 | 第26-28页 |
| ·倒装FC及DA芯片技术 | 第28-31页 |
| ·提高量子阱发光效率的关键因素及两大技术难题 | 第31-36页 |
| ·两大技术难题 | 第31-34页 |
| ·提高量子阱发光效率的关键因素 | 第34-36页 |
| ·本论文的主要工作 | 第36-37页 |
| 第2章 具有单色及多色量子阱的硅基绿光LED的EL特性 | 第37-61页 |
| ·LED相关的几种效率 | 第37-39页 |
| ·采用变温EL测试LED各种效率的处理方法 | 第39-41页 |
| ·实验 | 第41-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-59页 |
| ·具有相同波长的SQW-LED和MQW-LED的EL特性 | 第43-49页 |
| ·具有不同主波长的SQW-LED的EL特性分析 | 第49-51页 |
| ·SQW-LED、MQW-LED及MWW-LED的低温EL光谱行为 | 第51-54页 |
| ·变温EL-IQE曲线与量子阱能带倾斜之间模糊关系的建立 | 第54-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第3章 量子阱个数对Si基LED光学特性的影响 | 第61-80页 |
| ·变温PL测试PL-IQE的方法 | 第61-62页 |
| ·量子阱个数对蓝光LED光学特性的影响 | 第62-66页 |
| ·实验 | 第62-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-66页 |
| ·小结 | 第66页 |
| ·量子阱个数对绿光LED EL特性的影响 | 第66-72页 |
| ·实验 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-72页 |
| ·小结 | 第72页 |
| ·垒掺杂实现不同位置阱发光对绿光LED EL特性的影响 | 第72-80页 |
| ·实验 | 第72-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 第4章 牺牲金属退火对LED p型接触及表面的影响 | 第80-91页 |
| ·引言 | 第80页 |
| ·牺牲Ni退火对LED p型接触的影响 | 第80-86页 |
| ·实验 | 第80-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-86页 |
| ·小结 | 第86页 |
| ·牺牲Ni退火对LED p型表面的影响 | 第86-91页 |
| ·实验 | 第86-87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-90页 |
| ·小结 | 第90-91页 |
| 第5章 硅基TF芯片p面钝化技术研究 | 第91-102页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·金属p面钝化技术 | 第92-97页 |
| ·银合金条件下Pt/p-GaN的接触 | 第92-95页 |
| ·Cr/p-GaN的接触性能研究 | 第95-97页 |
| ·聚酰亚胺(PI)、SiN等绝缘物p面钝化技术可行性研究 | 第97-101页 |
| ·小结 | 第101-102页 |
| 第6章 金属基功率型芯片的研制及性能研究 | 第102-110页 |
| ·引言 | 第102页 |
| ·实验 | 第102-104页 |
| ·结果与分析 | 第104-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 第7章 总结 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-127页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第127-128页 |
