| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-34页 |
| ·研究背景 | 第18-22页 |
| ·薄膜材料的光学表征技术 | 第22-27页 |
| ·透射和反射光谱技术 | 第22-24页 |
| ·椭圆偏振光谱技术 | 第24-25页 |
| ·拉曼散射光谱技术 | 第25-26页 |
| ·光致发光光谱技术 | 第26-27页 |
| ·薄膜材料的光学色散函数 | 第27-30页 |
| ·Adachi色散关系 | 第28页 |
| ·Tauc-Lorentz色散关系 | 第28-29页 |
| ·Drude-Lorentz色散关系 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第二章 ZnO：As和TiO_2半导体氧化物薄膜的光学性质 | 第34-72页 |
| ·Si(100)衬底上不同As掺杂浓度ZnO薄膜的光学性质 | 第35-47页 |
| ·Si衬底上不同As掺杂浓度ZnO薄膜的制备和表征实验 | 第36-37页 |
| ·Si衬底ZnO：As薄膜的晶格结构 | 第37-38页 |
| ·Si衬底ZnO：As薄膜的晶格振动模式 | 第38-39页 |
| ·Si衬底ZnO：As薄膜的光致发光特性 | 第39-43页 |
| ·Si衬底ZnO：As薄膜的介电函数 | 第43-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| ·制备激光功率和As掺杂浓度对ZnO：As薄膜光学性质的影响 | 第47-59页 |
| ·石英衬底上不同As掺杂浓度ZnO薄膜的制备和表征实验 | 第47-48页 |
| ·石英衬底上ZnO：As薄膜的结晶质量和晶格振动 | 第48-51页 |
| ·石英衬底上ZnO：As薄膜的远红外反射光谱 | 第51-52页 |
| ·石英衬底上ZnO：As薄膜的透射光谱 | 第52-54页 |
| ·石英衬底上ZnO：As薄膜的光学常数和电子能带结构 | 第54-57页 |
| ·石英衬底上ZnO：As薄膜的光学禁带宽度 | 第57-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| ·不同激光功率金红石结构TiO_2纳米晶薄膜的光学性质 | 第59-66页 |
| ·TiO_2薄膜的制备、XRD、拉曼和透射光谱实验 | 第59-60页 |
| ·不同激光功率金红石结构TiO_2薄膜的拉曼声子模式 | 第60页 |
| ·不同激光功率TiO_2薄膜的透射光谱及其拟合 | 第60-62页 |
| ·不同激光功率TiO_2薄膜的介电函数和电子能带结构 | 第62-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 第三章 稀磁半导体氧化物薄膜的光电跃迁 | 第72-104页 |
| ·磁性元素(Cr,Mn,Ni)掺杂和纯ZnO薄膜的磁学和光电跃迁 | 第72-84页 |
| ·薄膜的合成,XRD,AFM和光谱测量实验 | 第73-74页 |
| ·薄膜结晶质量和表面形貌分析 | 第74-76页 |
| ·(Cr,Mn,Ni)掺杂和纯ZnO薄膜晶格振动 | 第76-78页 |
| ·(Cr,Mn,Ni)掺杂和纯ZnO薄膜透射光谱 | 第78-80页 |
| ·(Cr,Mn,Ni)掺杂和纯ZnO薄膜光致发光特性 | 第80-82页 |
| ·(Cr,Mn,Ni)掺杂和纯ZnO薄膜的磁性能 | 第82-84页 |
| ·结论 | 第84页 |
| ·石英衬底上不同浓度Mn掺杂SnO_2薄膜的光电跃迁 | 第84-99页 |
| ·SnO_2：Mn薄膜的制备和光谱测量 | 第85-86页 |
| ·SnO_2：Mn薄膜的结晶质量分析 | 第86-87页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2：Mn薄膜介电函数的影响 | 第87-90页 |
| ·SnO_2：Mn薄膜的电子能带结构 | 第90-92页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2：Mn薄膜光学禁带宽度的影响 | 第92-93页 |
| ·Sn_(0.975)Mn_(0.025)O_2薄膜在5.3到300K的透射光谱 | 第93-94页 |
| ·Sn_(0.975)Mn_(0.025)O_2薄膜介电函数的温度依赖性 | 第94-96页 |
| ·温度对Sn_(0.975)Mn_(0.025)O_2薄膜光学禁带宽度的影响 | 第96-98页 |
| ·结论 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-104页 |
| 第四章 VO_2半导体氧化物薄膜的光电子特性 | 第104-138页 |
| ·单斜晶体结构VO_2薄膜的低温光电子特性 | 第104-112页 |
| ·单斜晶体结构VO_2薄膜的结晶质量和电学性质 | 第104-106页 |
| ·单斜晶体结构VO_2薄膜的介电函数 | 第106-108页 |
| ·单斜晶体结构VO_2薄膜的电子跃迁和吸收系数 | 第108-112页 |
| ·结论 | 第112页 |
| ·外加电场调控VO_2纳米颗粒结构相变及其场效应晶体管应用 | 第112-124页 |
| ·VO_2纳米颗粒的制备和表征 | 第113-115页 |
| ·VO_2纳米颗粒在外加电压下的电学性质 | 第115-117页 |
| ·电场对VO_2纳米颗粒激活能的影响 | 第117-118页 |
| ·升温和降温过程的VO_2拉曼光谱和结构相变 | 第118-120页 |
| ·VO_2结构相变温度的电压依赖关系及其晶体管应用 | 第120-123页 |
| ·电压对结构VO_2相变温度延迟的影响 | 第123页 |
| ·结论 | 第123-124页 |
| ·VO_2薄膜在金属-绝缘相变区附近的光电子性质演变 | 第124-132页 |
| ·VO_2薄膜的结晶质量和电学性质 | 第124-126页 |
| ·VO_2薄膜在相变温度附近的光学常数 | 第126-128页 |
| ·VO_2薄膜在相变温度附近的光电导 | 第128-130页 |
| ·VO_2薄膜在相变温度附近的电子跃迁和禁带宽度 | 第130-132页 |
| ·结论 | 第132页 |
| ·本章小结 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-138页 |
| 第五章 钙钛矿结构多铁薄膜和导电金属氧化物薄膜的光电跃迁 | 第138-170页 |
| ·钙钛矿结构多铁BiFeO_3薄膜的低温光电跃迁 | 第139-146页 |
| ·BiFeO_3薄膜的生长和结晶质量 | 第139-140页 |
| ·BiFeO_3薄膜的低温光学常数 | 第140-143页 |
| ·BiFeO_3薄膜的电子跃迁振子强度随温度变化 | 第143-144页 |
| ·BiFeO_3薄膜的光学禁带宽度和温度的函数关系 | 第144-146页 |
| ·结论 | 第146页 |
| ·不同衬底温度La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3导电金属氧化物薄膜的光电跃迁 | 第146-158页 |
| ·LSCO薄膜的生长和表征 | 第146-147页 |
| ·LSCO薄膜的结构表征 | 第147-151页 |
| ·LSCO薄膜的椭圆偏振光谱 | 第151-153页 |
| ·LSCO薄膜的介电函数和光电导 | 第153-157页 |
| ·结论 | 第157-158页 |
| ·LaNiO_3和La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3导电金属氧化物薄膜的光电跃迁特性对比 | 第158-164页 |
| ·LaNiO_3和La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的结晶质量 | 第158-159页 |
| ·LaNiO_3和La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的反射光谱 | 第159-162页 |
| ·LaNiO_3和La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的介电函数和光电导 | 第162-163页 |
| ·结论 | 第163-164页 |
| 本章小结 | 第164-165页 |
| 参考文献 | 第165-170页 |
| 第六章 结论与展望 | 第170-174页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果清单及奖励 | 第174-182页 |
| 附录Ⅱ 致谢 | 第182-183页 |
