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p-ZnO薄膜和ZnO发光器件的制备与研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
1 绪论第11-27页
   ·ZnO的基本性质第12-18页
     ·ZnO的压电特性第14-15页
     ·ZnO的电学特性第15页
     ·ZnO的荧光和激射特性第15-18页
   ·ZnO薄膜的应用第18-20页
     ·ZnO压电器件第18页
     ·ZnO紫外探测器第18-19页
     ·ZnO透明电极第19页
     ·ZnO薄膜的其它应用第19-20页
   ·ZnO薄膜的p型掺杂和发光器件的研究进展第20-25页
     ·ZnO薄膜的p型掺杂研究进展第20-22页
     ·ZnO同质结LED发光器件的研究进展第22-25页
   ·本论文主要研究内容第25-27页
2 ZnO薄膜的制备和表征技术第27-44页
   ·ZnO薄膜的几种主要制备方法第27-29页
     ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)第27-28页
     ·溅射(Sputtering)第28页
     ·脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition)第28-29页
     ·金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)第29页
   ·本论文中用于制备ZnO薄膜的MOCVD反应系统第29-35页
     ·MOCVD系统中制备ZnO薄膜的源材料第30-31页
     ·用于ZnO生长的MOCVD反应系统第31-35页
   ·ZnO薄膜和器件的表征技术第35-44页
     ·X射线衍射(X-ray diffraction)第35-36页
     ·霍尔效应测试(Hall Effect)第36-37页
     ·原子力显微镜(Atomic force microscope)第37-39页
     ·扫描电子显微镜(Scanning electron microscope)第39-40页
     ·X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy)第40-42页
     ·光荧光测试(Photoluminescence)第42-43页
     ·其它测试方法第43-44页
3 GaAs衬底上制备p-ZnO薄膜和发光器件第44-72页
   ·GaAs作为衬底制备p-ZnO:As的研究背景第44-46页
   ·GaAs衬底上ZnO薄膜的生长与优化第46-57页
     ·生长温度对GaAs衬底上的ZnO薄膜性质的影响第46-54页
     ·锌源流量对GaAs衬底上的ZnO薄膜性质的影响第54-57页
   ·通过热退火扩散掺杂技术制备p-ZnO:As薄膜第57-65页
   ·GaAs衬底上制备ZnO同质结LED发光器件第65-70页
     ·ZnO同质结LED发光器件的制备第65-66页
     ·ZnO发光器件的性能第66-70页
   ·本章小结第70-72页
4 Si衬底上制备ZnO薄膜和发光器件第72-82页
   ·Si衬底上制备本征ZnO薄膜第72-74页
   ·Si衬底上制备p-ZnO薄膜第74-75页
   ·Si衬底上制备ZnO发光器件第75-80页
     ·Si衬底上ZnO发光器件的制备过程第75-77页
     ·Si衬底上ZnO发光器件的性能第77-80页
   ·本章小结第80-82页
5 蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜和发光器件第82-99页
   ·蓝宝石衬底上制备本征ZnO薄膜第82-88页
     ·衬底温度对ZnO薄膜性质的影响第82-87页
     ·缓冲层对ZnO薄膜性质的影响第87-88页
   ·蓝宝石衬底上制备p-ZnO薄膜第88-93页
     ·NH_3掺杂的ZnO:N薄膜的性质第88-89页
     ·O_2中退火对ZnO:N薄膜的性质的影响第89-91页
     ·N_2O中退火对ZnO:N薄膜的性质的影响第91-93页
   ·蓝宝石衬底上制备ZnO同质结LED发光器件第93-97页
     ·蓝宝石衬底上ZnO发光器件的制备过程第93-94页
     ·蓝宝石衬底上ZnO发光器件的性能第94-97页
   ·本章小结第97-99页
6 ZnO薄膜的可控湿法刻蚀工艺第99-105页
   ·ZnO薄膜的刻蚀处理过程第99-100页
   ·刻蚀对ZnO薄膜的影响第100-104页
   ·本章小结第104-105页
结论第105-108页
本论文创新点摘要第108-109页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第109-111页
参考文献第111-121页
致谢第121-122页
作者简介第122-123页

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