| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·透明导电氧化物薄膜简介 | 第10-11页 |
| ·基于氧化锌的透明导电氧化物薄膜 | 第10页 |
| ·基于氧化铟的透明导电氧化物薄膜 | 第10页 |
| ·基于氧化锡的透明导电氧化物薄膜 | 第10-11页 |
| ·氧化镓半导体材料的性质 | 第11-12页 |
| ·氧化镓半导体简介及其晶体结构 | 第11-12页 |
| ·β-Ga_2O_3的性质 | 第12页 |
| ·氧化镓薄膜的应用及前景 | 第12-14页 |
| ·本论文的选题依据 | 第14-16页 |
| 第二章 薄膜的制备方法与表征技术简介 | 第16-28页 |
| ·薄膜制备方法简介 | 第16-21页 |
| ·溶胶凝胶法（Sol-Gel） | 第16页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第17-18页 |
| ·喷雾热解法 | 第18页 |
| ·磁控溅射法 | 第18-19页 |
| ·分子束外延法（MBE） | 第19页 |
| ·本文采用的方法概述 | 第19-21页 |
| ·薄膜表征技术 | 第21-28页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）和冷场扫描电子显微镜（FE-SEM） | 第22页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第22-23页 |
| ·X 射线衍射方法（XRD） | 第23-24页 |
| ·紫外透射谱（UV-Vis transmission spectra） | 第24页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第24页 |
| ·拉曼谱（Raman） | 第24页 |
| ·X 射线光电子谱（XPS） | 第24-25页 |
| ·霍尔效应 | 第25-28页 |
| 第三章 β-Ga_2O_3薄膜的制备及光学特性分析 | 第28-34页 |
| ·制备薄膜的主要材料、试剂及实验条件 | 第28页 |
| ·实验结果与分析 | 第28-33页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第28-29页 |
| ·薄膜的 X 射线衍射谱分析 | 第29-30页 |
| ·薄膜的光学特性 | 第30-32页 |
| ·薄膜的拉曼谱 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 β-Ga_2O_3/ZnO 复合薄膜的制备及其与β-Ga_2O_3薄膜的性质比较 | 第34-42页 |
| ·β-Ga_2O_3/ZnO 复合薄膜（GZO）的制备 | 第34页 |
| ·β-Ga_2O_3/ZnO 复合薄膜（GZO）与β-Ga_2O_3薄膜的性质比较 | 第34-41页 |
| ·形貌的表征分析 | 第34-36页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第36-38页 |
| ·紫外透射谱分析 | 第38-40页 |
| ·光致发光谱分析（PL） | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第五章 含 ZnO 纳米夹层的β-Ga_2O_3薄膜的制备及其与β-Ga_2O_3薄膜的性质比较 | 第42-50页 |
| ·含 ZnO 纳米夹层的β-Ga_2O_3薄膜（GZG 薄膜）的制备 | 第42页 |
| ·GZG 薄膜与β-Ga_2O_3薄膜的性质比较 | 第42-49页 |
| ·X 射线衍射谱（XRD） | 第43-44页 |
| ·X 射线光电子能谱分析（XPS） | 第44-45页 |
| ·紫外透射谱 | 第45-47页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第47-48页 |
| ·霍尔效应测试 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-52页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第50页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
