| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-13页 |
| 目录 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| ·研究背景 | 第15-18页 |
| ·我们的工作 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 半导体材料的制备方法和表征手段 | 第23-46页 |
| ·半导体薄膜的制备方法 | 第23-28页 |
| ·射频磁控溅射 | 第23-24页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第24-27页 |
| ·真空蒸镀工艺 | 第27-28页 |
| ·半导体薄膜的表征方法 | 第28-45页 |
| ·表面形貌和微观结构表征 | 第28-36页 |
| ·电学性能表征 | 第36-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 氮化铟薄膜的制备和输运性能研究 | 第46-74页 |
| ·氮化铟的基本性质及应用 | 第46-51页 |
| ·氮化铟的结构和基本性质 | 第46-49页 |
| ·氮化铟的制备方法概述 | 第49-50页 |
| ·氮化铟的应用领域 | 第50-51页 |
| ·氮化铟薄膜的制备和表征 | 第51-58页 |
| ·氮化铟薄膜的制备 | 第51-52页 |
| ·生长条件对氮化铟薄膜的影响 | 第52-55页 |
| ·氮化铟薄膜的表征 | 第55-58页 |
| ·氮化铟薄膜的输运性能研究 | 第58-70页 |
| ·弱局域化理论 | 第58-63页 |
| ·氮化铟薄膜的电子退相干研究 | 第63-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第四章 氢化纳米硅薄膜的制备和输运性能研究 | 第74-94页 |
| ·纳米硅薄膜的基本性质及应用 | 第74-78页 |
| ·纳米硅薄膜的结构和基本性质 | 第74-76页 |
| ·硅量子点薄膜的制备方法概述 | 第76-77页 |
| ·硅量子点薄膜在量子功能器件方面的应用 | 第77-78页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的制备和表征 | 第78-83页 |
| ·PECVD 法制备氢化纳米硅薄膜 | 第78页 |
| ·硅量子点薄膜的生长机理 | 第78-79页 |
| ·硅量子点薄膜的表征 | 第79-83页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的自旋弛豫研究 | 第83-89页 |
| ·小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 第五章 碳化硅外延石墨烯生长研究 | 第94-119页 |
| ·石墨烯的基本性质及应用 | 第94-101页 |
| ·石墨烯的结构 | 第94-97页 |
| ·石墨烯的性质 | 第97-100页 |
| ·石墨烯的应用前景 | 第100-101页 |
| ·石墨烯的制备方法概述 | 第101-103页 |
| ·碳化硅外延法制备石墨烯的研究进展 | 第103-108页 |
| ·碳化硅外延石墨烯生长的发展 | 第104-105页 |
| ·碳化硅外延石墨烯的生长机理和模型 | 第105-108页 |
| ·FTF(face-to-face)外延生长石墨烯研究 | 第108-114页 |
| ·实验设备和内容 | 第108-110页 |
| ·样品的表征 | 第110-113页 |
| ·FTF 外延法的生长机制研究 | 第113-114页 |
| ·小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-119页 |
| 第七章 总结 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 完成论文目录 | 第122页 |